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1. (WO2005104193) 電子ビーム露光データ補正方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/104193    国際出願番号:    PCT/JP2004/004513
国際公開日: 03.11.2005 国際出願日: 30.03.2004
IPC:
G03F 1/16 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKITA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKITA, Hiroshi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; Ikebukuro TG Homest Building 5th Floor 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku Tokyo, 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR CORRECTING ELECTRON BEAM EXPOSURE DATA
(FR) PROCEDE DE CORRECTION DE DONNEES D’EXPOSITION A UN FAISCEAU D’ELECTRONS
(JA) 電子ビーム露光データ補正方法
要約: front page image
(EN)At first, identifiable electron beam exposure data is inputted for each type of pattern of a semiconductor device (S601). Electron beam exposure data of first type of pattern is not corrected while electron beam exposure data of second type of pattern is corrected (S603). The first type of pattern is a dummy pattern not having an effect on the function of the semiconductor device. The second type of pattern is a normal pattern having an effect, for example, on the function of the semiconductor device.
(FR)Des données d’exposition à un faisceau d’électrons identifiables sont tout d’abord entrées pour chaque type de motif d’un dispositif à semiconducteur (S601). Des données d’exposition à un faisceau d’électrons d’un premier type de motif ne sont pas corrigées tandis que des données d’exposition à un faisceau d’électrons d’un deuxième type sont corrigées (S603). Le premier type de motif est un motif factice n’ayant pas d’effet sur la fonction du dispositif à semiconducteur. Le deuxième type de motif est un motif normal ayant un effet, par exemple, sur la fonction du dispositif à semiconducteur.
(JA)まず、半導体装置のパターンの種類毎に識別可能な電子ビーム露光データを入力する(S601)。次に、第1の種類のパターンの電子ビーム露光データは補正を行わず、第2の種類のパターンの電子ビーム露光データは補正を行う(S603)。第1の種類のパターンは、例えば半導体装置の機能に影響しないダミーパターンである。第2の種類のパターンは、例えば半導体装置の機能に影響を与える通常パターンである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)