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1. (WO2005104136) 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の消去動作不良自動救済方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/104136    国際出願番号:    PCT/JP2004/005680
国際公開日: 03.11.2005 国際出願日: 21.04.2004
IPC:
G11C 16/06 (2006.01), G11C 29/00 (2006.01)
出願人: SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (米国を除く全ての指定国).
SPANSION JAPAN LIMITED [JP/JP]; 6, Kogyodanchi Monden-machi, Aizuwakamatsu-shi Fukushima 965-0845 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHINGO, Masaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHINGO, Masaki; (JP)
代理人: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR AUTOMATICALLY CORRECTING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE ERASE OPERATION FAILURE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATIL ET MÉTHODE POUR CORRIGER AUTOMATIQUEMENT UN ÉCHEC D'UNE OPÉRATION D'EFFACEMENT DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATIL
(JA) 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の消去動作不良自動救済方法
要約: front page image
(EN)A spare sector is made blank in advance. During actual use, the number of erase pulses for each erase operation is counted and presence/absence of generation of overcurrent is monitored during erase pulse application. A normal sector where a Long Erase failure has occurred is automatically switched to a spare sector. Thus, it is possible to correct the Long Erase failure without requiring re-erase operation of the spare sector after performing automatic redundancy to the spare sector.
(FR)Un secteur de rechange est conçu vide à l'avance. Pendant une utilisation réelle, on comptabilise le nombre d'impulsions d'effacement pour chaque opération d'effacement et l'on surveille la présence et l'absence de génération de surintensités pendant l'application de l'impulsion d'effacement. Un secteur normal, dans lequel est survenu un échec d'effacement long, est automatiquement basculé sur un secteur de rechange. Il est ainsi possible de corriger l'échec d'effacement long sans exiger une nouvelle opération d'effacement du secteur de rechange après avoir réalisé une redondance automatique sur le secteur de rechange.
(JA)予め予備セクタをブランク状態としておき、実使用におけるイレース操作時毎にイレースパルス数をカウントしたりイレースパルス印加中の過電流発生の有無をモニタして、Long Erase不良が発生した通常セクタを予備セクタに自動切り替えすることとした。これにより、予備セクタへ自動冗長した後の予備セクタの再イレース動作を必要とすることなくLong Erase不良を救済することが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)