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1. (WO2005088791) 単一モード光ファイバと高い結合効率で結合可能とする半導体レーザ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/088791    国際出願番号:    PCT/JP2005/004556
国際公開日: 22.09.2005 国際出願日: 15.03.2005
IPC:
H01S 5/227 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: ANRITSU CORPORATION [JP/JP]; 1800, Onna, Atsugi-shi, Kanagawa 2438555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGASHIMA, Yasuaki [JP/JP]; (米国のみ).
YAMADA, Atsushi [JP/JP]; (米国のみ).
SHIMOSE, Yoshiharu [JP/JP]; (米国のみ).
KIKUGAWA, Tomoyuki [JP/JP]; (米国のみ)
発明者: NAGASHIMA, Yasuaki; .
YAMADA, Atsushi; .
SHIMOSE, Yoshiharu; .
KIKUGAWA, Tomoyuki;
代理人: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2004-074636 16.03.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER COUPLABLE TO SINGLE MODE OPTICAL FIBER AT HIGH COUPLING EFFICIENCY
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR COUPLABLE À FIBRE OPTIQUE À MODE SIMPLE À GRANDE EFFICACITÉ DE COUPLAGE
(JA) 単一モード光ファイバと高い結合効率で結合可能とする半導体レーザ
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser is provided with a board made of InP, an activation layer formed on the board with a width of 7-14μm, including a multiquantum well structure, an n-type clad layer made of InGaAsP and a p-type clad layer made of InP formed on the board, having the activation layer between. The semiconductor laser oscillates only in basic transverse mode, and beams projected from a projection edge part can be optically coupled with an external single mode optical fiber.
(FR)Il est prévu un laser semi-conducteur avec une carte en InP, une couche d’activation formée sur la carte d’une largeur de 7-14µm, comprenant une structure à puits multiquantique, une couche de revêtement de type n en InGaAsP et une couche de revêtement de type p en InP formée sur la carte, prenant en sandwich la couche d’activation. Le laser semi-conducteur oscille uniquement en mode transversal, et les faisceaux projetés d’une pièce latérale de projection peuvent être couplés optiquement avec une fibre optique externe à mode simple.
(JA) 半導体レーザは、InPからなる基板と、前記基板上に幅が7~14μmとして形成される、多重量子井戸構造を含む活性層と、前記活性層を挟んで前記基板上に形成される、InGaAsPからなるn型クラッド層及びInPからなるp型クラッド層とを有する。前記半導体レーザは、基本横モードのみで発振して出射端部から出射される光が外部の単一モード光ファイバと光結合可能とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)