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1. (WO2005088789) 半導体レーザ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/088789    国際出願番号:    PCT/JP2005/003980
国際公開日: 22.09.2005 国際出願日: 08.03.2005
IPC:
H01L 23/473 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYAJIMA, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAN, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMANAKA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYAJIMA, Hirofumi; (JP).
KAN, Hirofumi; (JP).
YAMANAKA, Masanobu; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2004-076939 17.03.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER EQUIPMENT
(FR) ÉQUIPEMENT À LASER SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
要約: front page image
(EN)Semiconductor laser equipment is provided with a structure, which prevents corrosion of a cooling medium flow path in a heat sink and stably cools a semiconductor laser array for a long period of time. The semiconductor laser equipment is provided with a semiconductor laser stack wherein a plurality of semiconductor laser units are stacked, a cooling medium feeder, piping for connecting the semiconductor laser stack and the cooling medium feeder, and a cooling medium communicating in the above mentioned components. The cooling medium feeder feeds the semiconductor laser stack with the cooling medium. The cooling medium is composed of fluorocarbon. Each of the semiconductor laser units is composed of a pair of the semiconductor laser arrays and the heat sink. The heat sink is provided with the cooling medium flow path.
(FR)Il est prévu un équipement à laser semi-conducteur doté d’une structure empêchant la corrosion d’un circuit d’écoulement du milieu de refroidissement dans un dissipateur thermique et refroidissant de manière stable une matrice à laser semi-conducteur sur une période prolongée. L’équipement à laser semi-conducteur est pourvu d’une pile à laser semi-conducteur dans laquelle est empilée une pluralité d’unités à laser semi-conducteur, d’un injecteur de milieu de refroidissement, d’une tuyauterie de connexion de la pile à laser semi-conducteur et l’injecteur de milieu de refroidissement, et d‘un milieu de refroidissement communiquant dans les composants mentionnés plus haut. L’injecteur de milieu de refroidissement injecte le milieu de refroidissement dans la pile à laser semi-conducteur. Le milieu de refroidissement se compose de fluorocarbone. Chacune des unités à laser semi-conducteur se compose d’une paire de matrices à laser semi-conducteur et du dissipateur thermique. Le dissipateur thermique dispose du circuit d’écoulement du milieu de refroidissement.
(JA) この発明は、ヒートシンク内の冷媒流路の腐食を防ぎ、長期にわたり半導体レーザアレイを安定して冷却するための構造を備えた半導体レーザ装置に関する。当該半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザユニットが積層された半導体レーザスタックと、冷媒供給器と、これらを接続する配管と、これらの中を流通する冷媒とを備える。冷媒供給器は、冷媒を半導体レーザスタックに供給する。冷媒はフルオロカーボンから成る。半導体レーザユニットのそれぞれは、一対の半導体レーザアレイ及びヒートシンクで構成されている。ヒートシンクは冷媒流路を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)