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1. (WO2005088690) 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2005/088690 国際出願番号: PCT/JP2004/015480
国際公開日: 22.09.2005 国際出願日: 20.10.2004
IPC:
B24B 37/20 (2012.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
出願人: SHIMOMURA, Tetsuo[JP/JP]; JP (UsOnly)
NAKAMORI, Masahiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMADA, Takatoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
OGAWA, Kazuyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
KAZUNO, Atsushi[JP/JP]; JP (UsOnly)
WATANABE, Masahiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD.[JP/JP]; 17-18, Edobori 1-chome Nishi-ku, Osaka-shi Osaka 5508661, JP (AllExceptUS)
発明者: SHIMOMURA, Tetsuo; JP
NAKAMORI, Masahiko; JP
YAMADA, Takatoshi; JP
OGAWA, Kazuyuki; JP
KAZUNO, Atsushi; JP
WATANABE, Masahiro; JP
代理人: SUZUKI, Takao; Daiichi Suehiro Bldg. 1-20, Nishinakajima 7-chome Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011, JP
優先権情報:
2004-06942311.03.2004JP
2004-06949811.03.2004JP
発明の名称: (EN) POLISHING PAD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PATIN DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN) A polishing pad capable of maintaining high-precision end-point optical detection over a long period from the start of the use to the end of the use even if polishing is preformed with an alkaline or acid slurry and a method for manufacturing a semiconductor device using this polishing pad are disclosed. The polishing pad is used for chemical mechanical polishing and has a polishing region and a light-transmitting region. If T1 is the light transmittance (%) of the light-transmitting region measured to the measurement wavelength &lgr; after the polishing pad is dipped in a KOH aqueous solution of pH 11 or an H2O2 aqueous solution of pH 4 for 24 hours and T0 is the light-transmittance (%) measured to the measurement wavelength &lgr; before the dipping, the difference &Dgr;T(&Dgr;T=T0-T1) (%) between T0 and T1 is within 10 (%) over the whole range of the measurement wavelength from 400 to 700 nm.
(FR) Il est prévu un patin de polissage capable de maintenir la détection optique de point final haute précision sur une longue période entre le début et la fin d’utilisation même si le polissage est préformé avec un laitier alcalin ou acide et un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur employant ce patin de polissage. Le patin de polissage sert au polissage chimico-mécanique et possède une région de polissage et une région de transmission de lumière. Si T1 est le facteur de transmission de lumière (%) de la région de transmission de lumière mesuré à la longueur d’onde de mesure &lgr; après immersion du patin de polissage dans une solution aqueuse KOH de pH 11 ou une solution aqueuse H2O2 de pH 4 pendant 24 heures et T0 est le facteur de transmission de lumière (%) mesuré à la longueur d’onde de mesure &lgr; avant l’immersion, la différence &Dgr;T(&Dgr;T=T0-T1) (%) entre T0 et T1 est inférieure à 10 (%) sur toute la plage de la longueur d’onde de mesure entre 400 et 700 nm.
(JA)  アルカリ性スラリー又は酸性スラリーを用いて研磨を行う場合でも、使用開始から使用終了時までの長期にわたり高精度の光学的終点検知を維持し続けることができる研磨パッド、及び該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明の研磨パッドは、ケミカルメカニカルポリッシングに用いられ、研磨領域および光透過領域を有し、前記光透過領域は、pH11のKOH水溶液又はpH4のH水溶液に24時間浸漬した後の測定波長λにおける光透過率T(%)と、浸漬前の測定波長λにおける光透過率T(%)との差であるΔT(ΔT=T−T)(%)が、測定波長400~700nmの全範囲内で10(%)以内のものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)