WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2005088689) 加工対象物切断方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/088689    国際出願番号:    PCT/JP2005/003491
国際公開日: 22.09.2005 国際出願日: 02.03.2005
B23K 26/00 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUYO, Fumitsugu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ATSUMI, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UCHIYAMA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUYO, Fumitsugu; (JP).
ATSUMI, Kazuhiro; (JP).
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6 Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
2004-074993 16.03.2004 JP
(JA) 加工対象物切断方法
要約: front page image
(EN)A method for cutting an object to be processed is provided so as to facilitate handling of the object whereupon a cut starting area is formed and to prevent generation of chipping, etc. on a plurality of parts generated by cutting the object. A shape keeping plate (18) is mounted on a front side (3) of a silicon wafer (11), from a time during the cut starting area (8) is being formed inside the wafer (11), having a rear side (21) of the wafer (11) as a laser beam incidence plane, up to a time when an expand tape (19) is stuck on the rear side (21) of the wafer (11). The plate (18) can facilitate handling of the wafer (11) whereupon the cut starting area (8) is formed. Then, the plate (18) is removed from the front side (3) of the wafer (11), the expand tape (19) is expanded, and a plurality of chips (23) generated by cutting the wafer (11) having the cut starting area (8) as a starting point are separated from one another. Thus, generation of chipping, etc. on each chip (23) is prevented.
(FR)Un procédé de découpe d’un objet à traiter est prévu pour faciliter la manipulation de l’objet sur lequel une zone de début de découpe est formée et pour empêcher la création de fragmentation, etc. sur une pluralité de pièces créées lors de la découpe de l’objet. Une plaque de maintien de forme (18) est montée sur un côté avant (3) d’une tranche de silicium (11), depuis un moment où la zone de début de découpe (8) est formée à l’intérieur de la tranche (11), un côté arrière (21) de la tranche (11) servant de plan d‘incidence au faisceau laser, à un moment où une bande d’expansion (19) est collée sur le côté arrière (21) de la tranche (11). La plaque (18) peut faciliter la manipulation de la tranche (11) sur laquelle la zone de début de découpe (8) est formée. Puis la plaque (18) est enlevée du côté avant (3) de la tranche (11), la bande d'expansion (19) est étendue et une pluralité de puces (23) créées par découpe de la tranche (11) présentant la zone de début de découpe (8) comme point de démarrage sont alors séparées les unes des autres. Une fragmentation, etc. est ainsi évitée sur chaque puce (23).
(JA) 切断起点領域が形成された加工対象物の取り扱いを容易化し、且つ加工対象物が切断されて生じた複数の部分にチッピング等が発生するのを防止し得る加工対象物切断方法を提供する。  シリコンウェハ11の裏面21をレーザ光入射面としてウェハ11の内部に切断起点領域8を形成する際中から、そのウェハ11の裏面21にエキスパンドテープ19を貼り付けるまでは、ウェハ11の表面3に形状保持プレート18を取り付けておく。このプレート18により、切断起点領域8が形成されたウェハ11の取り扱いを容易化し得る。そして、ウェハ11の表面3からプレート18を取り外し、エキスパンドテープ19を拡張させることで、切断起点領域8を起点としてウェハ11が切断されて生じた複数のチップ23を互いに離間させる。これにより、各チップ23にチッピング等が発生するのを防止し得る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)