WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2005088688) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/088688    国際出願番号:    PCT/JP2005/004298
国際公開日: 22.09.2005 国際出願日: 11.03.2005
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 3-14-20, Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo 1648511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIYA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOKUCHI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUNII, Yasuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORIYA, Atsushi; (JP).
INOKUCHI, Yasuhiro; (JP).
KUNII, Yasuo; (JP)
代理人: MIYAMOTO, Haruhiko; Urbane Sagami Bldg. 602, 19-13, Sagami-ono 3-chome, Sagamihara-shi, Kanagawa 2280803 (JP)
優先権情報:
2004-069588 11.03.2004 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a hot-wall substrate processing apparatus for selectively growing an epitaxial film containing Si on the Si surface of a wafer (130), which comprises a process chamber (108) for housing the wafer (130), a heating member (101) arranged outside the process chamber (108) for heating the wafer (130), a raw material gas supply system (115) connected to the process chamber (108) and an exhaust system (116). Using this hot-wall substrate processing apparatus, a member having an exposed Si film is arranged opposite to a surface of the wafer (130) on which a film is to be grown, so that an epitaxial film containing Si is selectively grown on the wafer (130).
(FR)Il est prévu un appareil de traitement de substrat à paroi chaude pour cultiver sélectivement un film épitaxial contenant Si à la surface Si d’une pastille (130), comprenant une chambre de traitement (108) pour loger la pastille (130), un élément de chauffage (101) disposé à l’extérieur de la chambre de traitement (108) pour chauffer la pastille (130), un circuit d’arrivée de gaz brut (115) connecté à la chambre de traitement (108) et un circuit d’échappement (116). Grâce à cet appareil de traitement de substrat à paroi chaude, on dispose un élément ayant un film Si exposé en face d’une surface de la pastille (130) sur lequel on va cultiver un film, pour cultiver sélectivement un film épitaxial contenant Si sur la pastille (130).
(JA) ウエハ130を収容する処理室108と、処理室108の外部に配置され、ウエハ130を加熱する加熱部材101と、処理室108に連接された原料ガス供給系115と、排気系116とを有し、ウエハ130のSi表面にSiを含むエピタキシャル膜を選択成長させるホットウォール式の基板処理装置を使用して、ウエハ130の選択成長させる面と対向して、Si膜が露出した部材を配置して、ウエハ130にSiを含むエピタキシャル膜を選択成長させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)