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1. (WO2005085175) アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2005/085175 国際出願番号: PCT/JP2005/002118
国際公開日: 15.09.2005 国際出願日: 14.02.2005
IPC:
C07C 215/08 (2006.01) ,C07F 7/00 (2006.01) ,C07F 7/04 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
出願人: SATO, Hiroki[JP/JP]; JP (UsOnly)
SAKURAI, Atsushi[JP/JP]; JP (UsOnly)
ADEKA CORPORATION[JP/JP]; 2-35, Higashiogu 7-chome Arakawa-ku Tokyo 1160012, JP (AllExceptUS)
発明者: SATO, Hiroki; JP
SAKURAI, Atsushi; JP
代理人: HATORI, Osamu; Akasaka HKN BLDG. 6F, 8-6, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2004-04142718.02.2004JP
発明の名称: (EN) ALKOXIDE COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ D’ALCOXYDE, MATIÈRE PREMIÈRE DESTINÉE À LA FORMATION D’UNE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UNE COUCHE MINCE
(JA) アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
要約: front page image
(EN) An alkoxide compound that is represented by the following general formula (I) and is suitable to a raw material for thin film formation for use in a process of thin film formation though compound evaporation, such as CVD process. Further, there is provided a raw material for thin film formation comprising the above alkoxide compound. Still further, there is provided a process for producing a thin film, comprising vaporizing the above raw material for thin film formation to thereby obtain a vapor containing the alkoxide compound, introducing the vapor onto a substratum, and performing decomposition and/or chemical reaction thereof to thereby form a thin film on the substratum. (I) (wherein one of R1 and R2 is a C1-C4 alkyl while the other is a hydrogen atom or C1-C4 alkyl; each of R3 and R4 is a C1-C4 alkyl; A is a C1-C8 alkanediyl; M is a silicon or hafnium atom; and n is 4).
(FR) Composé d’alcoxyde qui est représenté par la formule générale (I) suivante et est adapté à une matière première destinée à la formation d’une couche mince en vue de l’utilisation dans un procédé de formation d’une couche mince par l’intermédiaire de l’évaporation du composé, tel que le procédé CVD. De plus, il est fourni une matière première destinée à la formation d’une couche mince comprenant le composé d’alcoxyde précédent. De plus encore, il est fourni un procédé de production d’une couche mince, comprenant la vaporisation de la matière première précédente destinée à la formation d’une couche mince pour ainsi obtenir une vapeur contenant le composé d’alcoxyde, l’introduction de la vapeur sur un substrat, et la décomposition et/ou la réaction chimique de celle-ci pour former ainsi une couche mince sur le substrat. (I) (dans laquelle un groupe parmi R1 et R2 représente un groupe alkyle en C1 à C4 alors que l’autre groupe représente un atome d’hydrogène ou un groupe alkyle en C1 à C4 ; chacun des groupes R3 et R4 représente un groupe alkyle en C1 à C4 ; A représente un groupe alcanediyle en C1 à C8 ; M représente un atome de silicium ou d’hafnium ; et n est égal à 4).
(JA) not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)