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1. (WO2005083806) 発光素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/083806    国際出願番号:    PCT/JP2005/003133
国際公開日: 09.09.2005 国際出願日: 25.02.2005
IPC:
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMADA, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHASHI, Masanobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMADA, Masato; (JP).
TAKAHASHI, Masanobu; (JP)
代理人: SUGAWARA, Masatsune; SUGAWARA & ASSOCIATES, Sakae Yamakichi Bldg., 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008 (JP)
優先権情報:
2004-052360 26.02.2004 JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET MÉTHODE DE FABRICATION
(JA) 発光素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)On a first main surface of a substrate main part (10m) composed of a GaAs single crystal, a compound semiconductor layer (10k) for isolation composed of a III-V group compound semiconductor single crystal having a composition different from GaAs is epitaxially grown. On the compound semiconductor layer (10k), a sub-substrate part (10e) composed of a GaAs single crystal is epitaxially grown so as to make a substrate (10) for compound growth. On the first main surface of the sub-substrate part (10e), a main compound semiconductor layer (40) having a light emitting layer part (24) is epitaxially grown. Furthermore, the compound semiconductor layer (10k) is removed by chemical etching so as to isolate the sub-substrate part (10e) from the substrate (10) to have a remaining substrate part (1) on a second main surface of the main compound semiconductor layer (40). A part of the remaining substrate part (1) is notched to form a notched part (1j). Then, a bottom surface of the notched part (1j) is used as a light taking out surface or a reflecting surface for an emitting light flux from a light emitting layer part (24). Thus, a light emitting element wherein the GaAs substrate for growing light emitting layer part, which has been conventionally totally removed, can be effectively used as a functional element constituting element, and an efficiency of taking out the emitting light flux to the external can be improved.
(FR)Sur une première surface principale d’une partie principale de substrat (10m) composée de cristal unique GaAs, une couche composée semi-conductrice (10k) pour l’isolation, composée cristal unique composé semi-conducteur du groupe III-V, à la composition différente des GaAS, grandit de manière épitaxiale. Sur la couche composée semi-conductrice (10k), une partie sub-substrat (10e) composée d’un cristal unique GaAs s’agrandit de manière épitaxiale. Afin de donner un susbstrat (10)pour la croissance composée. Sur la première surface principale des parties sous-substrat (10e)une couche composée semi-conductrice principale (40) avec une couche émettant de la lumière (24)grandit de façon épitaxiale. En outre, la couche composée semi-conductrice (10k) est enlevée par incision chimique afin d’isoler la partie sous-substrat (10e) du substrat (10) et d’obtenir une partie de substrat restante (1) sur une deuxième surface principale de la couche composée semi-conductrice principale (40).Une partie du substrat restant (1) est entaillée pour former une entaille (1j). Ensuite, une surface du bas de l’entaille (1j) est utilisée comme une lumière prenant la surface ou une surface réfléchissante pour un flux de lumière provenant d’une couche émettant de la lumière (24). Ainsi, un élément émettant de la lumière où le substrat GaAs pour augmenter la couche émettant de la lumière, qui a été complètement retirée de manière conventionnelle, peut être utilisé de manière efficace comme élément fonctionnel constitutif, et l’efficacité de l’extériorisation du flux d’émission de lumière peut être amélioré.
(JA) GaAs単結晶からなる基板本体部10mの第一主表面に、GaAsと異なる組成のIII−V族化合物半導体単結晶からなる分離用化合物半導体層10kをエピタキシャル成長し、該分離用化合物半導体層10k上にGaAs単結晶からなる副基板部10eをエピタキシャル成長することにより複合成長用基板10を作成し、副基板部10eの第一主表面上に、発光層部24を有した主化合物半導体層40をエピタキシャル成長する。さらに、分離用化合物半導体層10kを化学エッチングにて除去することにより複合成長用基板10から副基板部10eを分離して主化合物半導体層40の第二主表面上への残留基板部1とするとともに、残留基板部1の一部を切り欠いて切欠き部1jを形成する。そして、該切欠き部1jの底面を、発光層部24からの発光光束に対する光取出面又は反射面として利用する。これにより、これまで全面的に除去されていた発光層部成長用のGaAs基板を、機能的素子構成要素として有効利用することができ、しかも、発光光束の外部への取出効率も高めることができる発光素子を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)