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1. (WO2005083795) 半導体装置の製造方法及びプラズマ酸化処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/083795    国際出願番号:    PCT/JP2004/002488
国際公開日: 09.09.2005 国際出願日: 01.03.2004
予備審査請求日:    22.12.2004    
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Masaru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KABE, Yoshiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SASAKI, Masaru; (JP).
KABE, Yoshiro; (JP)
代理人: SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg. 1, Kandata-cho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010046 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA OXIDATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ D’OXYDATION PLASMA
(JA) 半導体装置の製造方法及びプラズマ酸化処理方法
要約: front page image
(EN)A polysilicon electrode layer (103) (a first electrode layer) is formed by forming a polysilicon film on a gate oxide film (102) on a silicon wafer (101). A tungsten layer (105) (a second electrode layer) is formed on this polysilicon electrode layer (103). In addition, a barrier layer (104) is formed on the polysilicon electrode layer (103) before the formation of the tungsten layer (105). Etching is then conducted using a silicon nitride layer (106) as the etching mask. Next, an oxide insulating film (107) is formed on an exposed surface of the polysilicon layer (103) by plasma oxidation wherein a process gas containing oxygen gas and hydrogen gas is used at a process temperature not less than 300˚C. With this method, a selective oxidation of the polysilicon electrode layer (103) can be carried out without oxidizing the tungsten layer (105).
(FR)Il est prévu une couche d’électrode en polysilicium (103) (première couche d’électrode) en formant un film de polysilicium sur un film oxyde de porte (102) sur une pastille de silicium (101). Une couche de tungstène (105) (seconde couche d’électrode) est formée sur cette couche d’électrode en polysilicium (103). En outre, une couche de protection (104) est formée sur la couche d’électrode en polysilicium (103) avant la formation de la couche de tungstène (105). On effectue ensuite un décapage à l’aide d’une couche de nitrure de silicium (106) comme masque décapant. Ensuite, un film isolant oxyde (107) se forme sur une surface exposée de la couche de polysilicium (103) par oxydation plasma tandis que l’on utilise un gaz de traitement contenant du gaz oxygène et du gaz hydrogène à une température de traitement supérieure ou égale à 300°C. Ce procédé permet de réaliser une oxydation sélective de la couche d’électrode en polysilicium (103) sans oxyder la couche de tungstène (105).
(JA) シリコンウエハ101上のゲート酸化膜102上に、ポリシリコンを成膜して、ポリシリコン電極層103(第一電極層)を形成する。このポリシリコン電極層103上に、タングステン層105(第二電極層)を形成する。なお、タングステン層105を形成する前に、予め導電性のバリア層104をポリシリコン電極層103の上に形成しておく。その後、窒化シリコン層106をエッチングマスクとして、エッチング処理を行う。そして、剥き出しとなったポリシリコン層103の露出面に、酸素ガスと水素ガスとを含む処理ガスを用い処理温度を300℃以上としたプラズマ酸化処理により、酸化絶縁膜107を形成する。これにより、タングステン層105を酸化させずに、ポリシリコン電極層103に対して選択的な酸化処理を行うことができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)