WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2005083761) 窒化物半導体装置のオーム性電極構造
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/083761    国際出願番号:    PCT/JP2005/003802
国際公開日: 09.09.2005 国際出願日: 28.02.2005
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYAMA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ANDO, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAMOTO, Hironobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUZUHARA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAMOTO, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATAYA, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAYAMA, Tatsuo; (JP).
ANDO, Yuji; (JP).
MIYAMOTO, Hironobu; (JP).
KUZUHARA, Masaaki; (JP).
OKAMOTO, Yasuhiro; (JP).
INOUE, Takashi; (JP).
HATAYA, Koji; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; The 3rd Mori Building, 4-10, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2004-050798 26.02.2004 JP
発明の名称: (EN) OHMIC ELECTRODE STRUCTURE OF NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE RÉSISTIVE D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR À BASE DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体装置のオーム性電極構造
要約: front page image
(EN)An ohmic electrode structure of a nitride semiconductor device having a nitride semiconductor. The ohmic electrode structure is provided with a first metal film formed on the nitride semiconductor and a second metal film formed on the first metal film. The first metal film is composed of at least one material selected from a group consisting of V, Mo, Ti, Nb, W, Fe, Hf, Re, Ta and Zr. The second metal film is composed of at least one material different from that of the first metal film (102), selected from a group consisting of V, Mo, Ti, Nb, W, Fe, Hf, Re, Ta, Zr, Pt and Au.
(FR)Une structure d'électrode résistive d'un dispositif à semiconducteur à nitrure comportant un semiconducteur à base de nitrure. La structure d'électrode résistive est dotée d'un premier film métallique formé sur le semiconducteur à base de nitrure et d'un second film métallique formé sur le premier film métallique. Le premier film métallique est composé d'au moins un matériau sélectionné à partir d'un groupe constitué de V, Mo, Ti, Nb, W, Fe, Hf, Re, Ta et Zr. Le second film métallique est composé d'au moins un matériau, différent de celui du premier film métallique (102), sélectionné à partir d'un groupe constitué de V, Mo, Ti, Nb, W, Fe, Hf, Re, Ta, Zr, Pt et Au.
(JA)窒化物半導体を有する窒化物半導体装置のオーム性電極構造であって、窒化物半導体上に形成された第1の金属膜と、第1の金属膜上に形成された第2の金属膜とを有する。第1の金属膜は、V、Mo、Ti、Nb、W、Fe、Hf、Re、Ta、Zrから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料で構成されている。第2の金属膜は、第1の金属膜102と異なる、V、Mo、Ti、Nb、W、Fe、Hf、Re、Ta、Zr、Pt、Auから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料で構成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)