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1. (WO2005081304) 電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/081304    国際出願番号:    PCT/JP2005/002712
国際公開日: 01.09.2005 国際出願日: 21.02.2005
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAMOTO, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ANDO, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAMOTO, Hironobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAYAMA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUZUHARA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKAMOTO, Yasuhiro; (JP).
ANDO, Yuji; (JP).
MIYAMOTO, Hironobu; (JP).
NAKAYAMA, Tatsuo; (JP).
INOUE, Takashi; (JP).
KUZUHARA, Masaaki; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg., 9-20, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2004-044459 20.02.2004 JP
発明の名称: (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a field effect transistor comprising a semiconductor layer structure including a GaN channel layer (12) and an AlGaN electron supply layer (13), a source electrode (1) and a drain electrode (3) which are so formed on the electron supply layer (13) as to be separated from each other, a gate electrode (2) formed between the source electrode (1) and the drain electrode (3), and an SiON film (23) formed on the electron supply layer (13). The gate electrode (2) has a filed plate portion (5) projecting toward the drain electrode (3) side like an eave on the SiON film (23). The thickness of a portion (a field plate layer (23a)) of the SiON film (23) lying between the filed plate portion (5) and the electron supply layer (13) gradually increases from the gate electrode (2) side to the drain electrode (3) side.
(FR)Il est divulgué un transistor à effet de champ comprenant une couche de semiconducteur comprenant une couche de canal en GaN (12) et une couche d’apport d’électrons en AlGaN (13), une électrode de source (1) et une électrode de drain (3) qui sont formées sur la couche d’apport d’électrons (13) de façon à être séparées l’une de l’autre, une électrode de grille (2) formée entre l’électrode de source (1) et l’électrode de drain (3), et un film en SiON (23) formé sur la couche d’apport d’électrons (13). L’électrode de grille (2) possède une portion de plaque limée (5) faisant saillie vers le côté de l’électrode de drain (3), à la manière d’un avant-toit, sur le film en SiON (23). L’épaisseur d’une portion (une couche de plaque de champ (23a)) du film en SiON (23) entre la portion de plaque limée (5) et la couche d’apport d’électrons (13) augmente progressivement entre le côté de l’électrode de grille (2) et le côté de l’électrode de drain (3).
(JA) 電界効果トランジスタは、GaNチャネル層12とAlGaN電子供給層13を含む半導体層構造と、電子供給層13上に互いに離間して形成されたソース電極1およびドレイン電極3と、ソース電極1とドレイン電極3との間に形成されたゲート電極2と、電子供給層13上に形成されたSiON膜23とを有している。ゲート電極2は、ドレイン電極3側にひさし状に張り出し、かつSiON膜23上に形成されたフィールドプレート部5を有している。SiON膜23のフィールドプレート部5と電子供給層13との間に位置する部分(フィールドプレート層23a)の厚さが、ゲート電極2からドレイン電極3の方向に向かって次第に厚くなるように変化している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)