WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2005079119) 発光型トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/079119    国際出願番号:    PCT/JP2005/002162
国際公開日: 25.08.2005 国際出願日: 14.02.2005
IPC:
H01S 3/16 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01)
出願人: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Honcho, Kawaguchi-shi Saitama 3320012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TADA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKANOUE, Tomo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TADA, Hirokazu; (JP).
SAKANOUE, Tomo; (JP)
代理人: KOBAYASI, Ryohei; Kobayasi Patent & Trademark 7th Floor, Hougen-Sizyokarasuma Building 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku Kyoto-si, Kyoto 6008091 (JP)
優先権情報:
2004-038951 16.02.2004 JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光型トランジスタ
要約: front page image
(EN)A light emitting transistor (LEFET) which is a light emitting element having a switching function, can produce a sufficient light emission intensity, and is formed to provide a higher light emission efficiency. Aluminum is used as the material of a drain electrode (25), and gold is used as the material of a source electrode (24). When a voltage is applied to between the source electrode (24) and the drain electrode (25), holes are injected from the source electrode (24) and electrons are injected from the drain electrode (25) respectively into a light emitting layer (26). Holes and electrons are re-coupled, and then the light emitting layer (26) emits light. The turning on/off of light emission is controlled by turning on/off a gate voltage. Unlike a conventional technique of using gold for a drain electrode, this invention uses aluminum having a smaller work function than gold so that more electrons can be injected into the light emitting layer (26) at a lower voltage. Accordingly, light emission intensity and efficiency are improved.
(FR)Un transistor électroluminescent (LEFET) qui est un élément électroluminescent possédant une fonction de commutation peut produire une intensité lumineuse suffisante et est constitué pour produire une efficacité lumineuse supérieure. L'aluminium est utilisé pour le matériau d'une électrode de drain (25) et l'or pour le matériau d'une électrode de source (24). Quand une tension est appliquée entre l'électrode de source (24) et l'électrode de drain (25), des trous sont injectés depuis l'électrode de source (24) et des électrons sont injectés depuis l'électrode de drain (25) respectivement dans une couche électroluminescente (26). Les trous et les électrons sont réaccouplés et la couche électroluminescente (26) produit alors de la lumière. L'activation/désactivation de l'émission de lumière est gérée en activant/désactivant une tension de grille. Contrairement à une technique conventionnelle qui consiste à employer l'or pour une électrode de drain, cette invention utilise de l'aluminium qui a un travail d'extraction moindre que celui de l'or de sorte que davantage d'électrons peuvent être injectés dans la couche électroluminescente (26) à une tension plus faible. L'intensité et l'efficacité de l'électroluminescence s'en trouvent donc améliorées.
(JA) 本発明は、スイッチング機能を有する発光素子である発光型トランジスタ(LEFET)であって、十分な発光強度を得ることができ、より発光効率が高いものを提供するために成された。ドレイン電極25の材料にアルミニウムを、ソース電極24の材料に金を用いる。ソース電極24−ドレイン電極25間に電圧を印加することにより、ソース電極24から正孔が、ドレイン電極25から電子が、それぞれ発光体層26に注入される。正孔と電子が再結合して、発光体層26が発光する。発光のON/OFFはゲート電圧のON/OFFにより制御される。従来はドレイン電極にも金を用いていたのに対して、本発明では金よりも仕事関数の小さいアルミニウムを用いることにより、より低い電圧でより多くの電子を発光体層26に注入することができる。そのため、発光強度及び発光効率が向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)