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1. WO2005078854 - 高周波モジュール

公開番号 WO/2005/078854
公開日 25.08.2005
国際出願番号 PCT/JP2005/000843
国際出願日 24.01.2005
IPC
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01P 1/208 2006.01
H電気
01基本的電気素子
P導波管;導波管型の共振器,線路または他の装置
1補助装置
20周波数選択装置,例.フイルタ
207中空導波管フイルタ
208縦続接続空胴;中空導波管構造の内部に設けた縦続接続共振器
H01P 5/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
P導波管;導波管型の共振器,線路または他の装置
5導波管型の結合装置
08異なる種類の線路または装置の接続用
H01P 5/107 2006.01
H電気
01基本的電気素子
P導波管;導波管型の共振器,線路または他の装置
5導波管型の結合装置
08異なる種類の線路または装置の接続用
10不平衡線路または不平衡装置との平衡結合用のためのもの
107中空導波管―ストリップ線路の変換
CPC
H01L 23/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
04characterised by the shape ; of the container or parts, e.g. caps, walls
H01L 23/552
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
552Protection against radiation, e.g. light ; or electromagnetic waves
H01L 23/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
H01L 2924/16152
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
161Cap
1615Shape
16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
H01L 2924/1616
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
161Cap
1615Shape
16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
1616Cavity shape
H01P 1/2082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
20Frequency-selective devices, e.g. filters
207Hollow waveguide filters
208Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
2082with multimode resonators
出願人
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 福永 達也 FUKUNAGA, Tatsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 福永 達也 FUKUNAGA, Tatsuya
代理人
  • 三反崎 泰司 MITAZAKI, Taiji
優先権情報
2004-01970928.01.2004JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HIGH-FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
要約
(EN)
A high-frequency module having less insertion loss is provided. The high-frequency module is provided with a board (3) whereupon a grounding electrode (11) is formed on one surface, and a high-frequency module component (2), which has a recessed part (8) for waveguide tube type waveguide formed on one surface and is mounted on the board (3) in a status where the one surface is brought into contact with the grounding electrode (11). The grounding electrode (11) is provided with H-plane bonding windows (14) and (15) opened in a waveguide tube type waveguide A formed between the grounding electrode (11) and a surface of the recessed part (8) for the waveguide tube type waveguide. The board (3) is provided with TEM mode lines (12) and (13) formed on the other surface, and penetrating conductors (16) and (17) for short-circuiting the TEM mode lines (12) and (13) in the vicinity of the H-plane bonding windows (14) and (15) on the grounding electrode (11).
(FR)
: Est fourni un module haute fréquence ayant un affaiblissement d’insertion moindre. Le module haute fréquence est fourni avec une plaque (3) sur laquelle se forme une électrode de terre (11) sur une surface, et un composant du module haute fréquence (2), qui a une partie en retrait (8) pour un guide d’ondes de type guide d’ondes cylindrique formé sur une surface et est monté sur la plaque (3) dans un état où une surface est mise en contact avec l'électrode de terre (11). L’électrode de terre (11) est fournie avec des fenêtres de liaison de plan magnétique (14) et (15) ouvertes sur un guide d’ondes de type guide d’ondes cylindrique A formé entre l'électrode de terre (11) et une surface de la partie en retrait (8) pour le guide d’ondes de type guide d’ondes cylindrique. La plaque (3) est fournie avec des lignes de mode transverse électromagnétique (12) et (13) formées sur l’autre surface et des conducteurs pénétrants (16) et (17) pour court-circuiter les lignes de mode transverse électromagnétique (12) et (13) dans le voisinage des fenêtres de liaison de plan magnétique (14) et (15) sur l’électrode de terre (11).
(JA)
 挿入損失が少ない高周波モジュールを提供する。グランド電極(11)が一面に形成された基板(3)と、一方の面に導波管型導波路用凹部(8)が形成されると共に一方の面をグランド電極(11)に接触させた状態で基板(3)に装着された高周波モジュール用部品(2)とを備え、グランド電極(11)と導波管型導波路用凹部(8)の表面との間で形成される導波管型導波路A内に開口するH面結合窓(14),(15)がグランド電極(11)に形成され、基板(3)は、TEMモード線路(12),(13)が他面に形成され、かつTEMモード線路(12),(13)をグランド電極(11)におけるH面結合窓(14),(15)の近傍に短絡させる貫通導体(16),(17)が形成されて構成されている。                                                                                 
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