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1. (WO2005078812) Ga2O3系単結晶の導電率制御方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/078812    国際出願番号:    PCT/JP2005/000420
国際公開日: 25.08.2005 国際出願日: 14.01.2005
予備審査請求日:    19.12.2005    
IPC:
C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/28 (2006.01), C30B 13/00 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
出願人: WASEDA UNIVERSITY [JP/JP]; 104, Totsuka-machi 1-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1690071 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ICHINOSE, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMAMURA, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOKI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
GARCIA VILLORA, Encarnacion Antonia [ES/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ICHINOSE, Noboru; (JP).
SHIMAMURA, Kiyoshi; (JP).
AOKI, Kazuo; (JP).
GARCIA VILLORA, Encarnacion Antonia; (JP)
代理人: HIRATA, Tadao; Hirata & Partners World-Wide Center 1-13, Sanban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0075 (JP)
優先権情報:
2004-042170 18.02.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CONTROLLING CONDUCTIVITY OF Ga2O3 SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ POUR LE CONTRÔLE DE LA CONDUCTIVITÉ D’UN MONOCRISTAL DE Ga2O3
(JA) Ga2O3系単結晶の導電率制御方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for controlling the conductivity of a Ga2O3 single crystal which enables to efficiently control the conductivity of a &bgr;-Ga2O3 single crystal. A light-emitting device comprises an n-type &bgr;-Ga2O3 substrate, and an n-type &bgr;-AlGaO3 cladding layer, an active layer, a p-type &bgr;-AlGaO3 cladding layer and a p-type &bgr;-Ga2O3 contact layer sequentially arranged on the n-type &bgr;-Ga2O3 substrate. By changing the Si concentration from 1 × 10-5 mol% to 1 mol%, the resistivity is controlled within the range from 2.0 × 10-3 Ωcm to 8 × 102 Ωcm and the carrier concentration is controlled within the range from 5.5 × 1015/cm3 to 2.0 × 1019/cm3.
(FR): Est décrit un procédé pour le contrôle de la conductivité d’un monocristal de Ga2O3 qui permet de contrôler avec efficacité la conductivité d’un monocristal de &bgr;-Ga2O3. Un dispositif émettant de la lumière comprend un substrat de &bgr;-Ga2O3 de type n, et une couche de métallisation de &bgr;-AlGaO3 de type n, une couche active, une couche de métallisation de &bgr;-AlGaO3 de type p et une couche de contact de &bgr;-AlGaO3 de type p disposées sur le substrat de &bgr;-Ga2O3 de type n. En modifiant la concentration en Si de 1 × 10-5 mol % à 1 mol %, la résistivité est contrôlée dans la plage de 2,0 × 10-3 Ωcm à 8 × 102 Ωcm et la concentration du support est contrôlée dans la plage de 5,5 × 1015/cm3 à 2,0 × 1019/cm3.
(JA) β−Ga系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるGa系単結晶の導電率制御方法を提供する。  この発光素子は、n型β−Ga基板と、このn型β−Ga基板の上に、n型β−AlGaOクラッド層、活性層、p型β−AlGaOクラッド層およびp型β−Gaコンタクト層とを備える。Si濃度を1×10−5~1mol%に変化させることにより、抵抗率が2.0×10−3~8×10Ωcm、キャリア濃度が5.5×1015~2.0×1019/cmの範囲に制御するものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)