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1. (WO2005078788) I-VII族半導体単結晶薄膜およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/078788    国際出願番号:    PCT/JP2004/017777
国際公開日: 25.08.2005 国際出願日: 30.11.2004
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
出願人: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ITOH, Tadashi; (米国のみ).
ASHIDA, Masaaki; (米国のみ)
発明者: ITOH, Tadashi; .
ASHIDA, Masaaki;
代理人: HARA, Kenzo; HaraKenzo World Patent & Trademark Patent Law Firm Daiwa Minamimorimachi Building 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2004-037441 13.02.2004 JP
発明の名称: (EN) GROUP I-VII SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL THIN FILM AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) FILM MINCE À SIMPLE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE GROUPE I-VII ET PROCESSUS DE PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) I-VII族半導体単結晶薄膜およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A CaF2 buffer layer (3) is formed on a CaF2 (111) substrate (2) by an MBE method. Furthermore, a CuCl thin film is grown on the CaF2 buffer layer (3) by an MBE method while irradiating it with an electron beam to form an electron beam irradiation film (1a). Subsequently, a CuCl thin film is grown by an MBE method under a state where irradiation of electron beam is interrupted to form an electron beam non-irradiation film (1b), thereby thus forming a CuCl thin film (1) consisting of the electron beam irradiation film (1a) and the electron beam non-irradiation film (1b). Consequently, a CuCl thin film (1) exhibiting high planarity and crystallinity can be formed.
(FR)Une couche tampon en CaF2 (3) est formée sur un substrat en CaF2 (111) (2) selon un procédé MBE. De plus, un film mince en CuCl est développé sur la couche tampon en CaF2 (3) selon un procédé MBE tout en l’irradiant avec un faisceau électronique pour constituer un film d’irradiation à faisceau électronique (1a). Ensuite, un film mince en CuCl est développé selon un procédé MBE dans un état tel que l’irradiation à faisceau électronique est interrompue afin de constituer un film de non-irradiation à faisceau électronique (1b), pour produire ainsi un film mince en CuCl (1) composé du film d’irradiation à faisceau électronique (1a) et du film de non-irradiation à faisceau électronique (1b). En conséquence, on peut obtenir un film mince en CuCl (1) de planéité élevée et de forte cristallinité.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)