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1. (WO2005078512) フォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/078512    国際出願番号:    PCT/JP2005/002342
国際公開日: 25.08.2005 国際出願日: 16.02.2005
IPC:
G02B 6/12 (2006.01), G02F 1/025 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
出願人: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KISE, Tomofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIMOTO, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOKOUCHI, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
BABA, Toshihiko [JP/JP]; (JP)
発明者: KISE, Tomofumi; (JP).
KIMOTO, Tatsuya; (JP).
YOKOUCHI, Noriyuki; (JP).
BABA, Toshihiko; (JP)
代理人: KAWAWA, Takaho; Mita-Maruhachi Bldg. 7F, 1-10, Mita 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1080073 (JP)
優先権情報:
2004-040122 17.02.2004 JP
発明の名称: (EN) PHOTONIC CRYSTAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À CRISTAL PHOTONIQUE ET PROCEDE POUR FABRIQUER CELUI-CI
(JA) フォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a photonic crystal semiconductor device which enables to easily form various optical devices having a photonic crystal structure by using a semiconductor and a semiconductor manufacturing process. Also disclosed is a method for manufacturing such a photonic crystal semiconductor device. The photonic crystal semiconductor device has a photonic crystal structure wherein a lower DBR layer (1), a core layer (2), an upper DBR layer (3) and a dielectric multilayer film (6) composed of multiple dielectric layers are sequentially formed on an n-InP substrate (11) in this order. A plurality of vacancies (9) are formed in the core layer (2) and the upper DBR layer (3) in the film thickness direction, and a line defect portion (10) is in the region between the vacancies (9) where no vacancy (9) is present. The line defect portion (10) functions as an optical waveguide.
(FR): Il est exposé un dispositif semi-conducteur à cristal photonique qui permet de former facilement différents appareils optiques ayant une structure de cristal photonique en utilisant un semi-conducteur et un procédé de fabrication de semi-conducteur. Il est également exposé un procédé pour fabriquer un tel dispositif semi-conducteur à cristal photonique. Le dispositif semi-conducteur à cristal photonique a une structure de cristal photonique dans laquelle une couche de DBR inférieure (1), une couche de coeur (2), une couche de DBR supérieure et un film diélectrique multicouche (6) composé de multiples couches diélectriques sont formés les uns après les autres sur un substrat n-InP (11) dans cet ordre. Une multitude de lacunes (9) sont formées dans la couche de coeur (2) et la couche de DBR supérieure (3) dans la direction de l'épaisseur du film et une partie de défauts en ligne (10) est située dans la zone entre les lacunes (9) où aucune lacune n'est présente. La partie de défauts en ligne (10) sert de guide d'onde optique.
(JA) 半導体および半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造をもった各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供すること。  n−InP基板11側から下部DBR層1、コア層2、上部DBR層3および誘電体多層膜である誘電体多層膜6が順次積層され、コア層2及び上部DBR層3で膜厚方向に複数の空孔9が形成され、かつ複数の空孔9に挟まれて空孔9が存在しない領域で線欠陥部10を有したフォトニック結晶構造を有し、線欠陥部10が光導波路として機能する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)