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1. (WO2005078386) 光飛行時間型距離センサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/078386    国際出願番号:    PCT/JP2005/002662
国際公開日: 25.08.2005 国際出願日: 14.02.2005
IPC:
G01C 3/06 (2006.01), G01S 17/10 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku Shizuoka-shi, Shizuoka 422-8529 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAHITO, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAHITO, Shoji; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2004/041057 18.02.2004 JP
発明の名称: (EN) TIME-OF-LIGHT FLIGHT TYPE DISTANCE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE DISTANCE DE TYPE DURÉE DE TRAJECTOIRE DE LA LUMIÈRE
(JA) 光飛行時間型距離センサ
要約: front page image
(EN)The conventional distance image sensor using light reflection time measurement is expensive since it requires a CCD process and a CMOS process. In order to reduce the cost, it is preferable to realize a sensor by adding a limited number of steps to the standard CMOS process. It is possible to realize a low-cost high-performance distance image sensor by using a standard CMOS process or by adding a simple step to it. An oxide film (3) is formed on a silicon substrate (20) and two photo gate electrodes (1, 2) for charge transfer are arranged on it. At the edge portion of the oxide film, floating diffused layers (5, 6) are arranged for extracting charge from a light reception layer (4), and outside it, there are arranged a gate electrode for reset and a diffused layer for reset potential supply.
(FR)Le capteur d’images de distance conventionnel utilisant la mesure de réflexion de la lumière coûte cher dans la mesure où il fait appel à un procédé CCD et un procédé CMOS. Afin de réduire les coûts, il est préférable de réaliser un capteur en ajoutant un nombre limité de phases au procédé standard CMOS. Il est possible de réaliser un capteur d’images de distance haute performance de faible coût en utilisant un procédé standard CMOS ou en lui ajoutant une simple phase. Un film d’oxyde (3) est formé sur un substrat de silicium (20) et deux photo-électrodes à grille (1, 2) pour transfert de charge sont disposées sur celui-ci. Au bord du film d’oxyde, des couches diffusées flottantes (5, 6) sont aménagées pour extraire la charge d’une couche de réception de la lumière (4), et à l’extérieur de ce film, on trouve une électrode de grille pour réinitialisation et une couche diffusée pour réinitialiser l’alimentation potentielle.
(JA)これまでの光の反射時間測定による距離画像センサは、CCDプロセスとCMOSプロセスとを必要としているため、高価格であった。低価格にするためには、標準的なCMOSプロセスにできる限り少ない工程の追加で実現できることが望ましい。本発明は、標準CMOSプロセス、またはそれに簡単な工程を追加することにより、低コストで高性能な距離画像センサを実現する。シリコン基板(20)上に酸化膜(3)を設け、その上に電荷転送用のフォトゲート電極(1,2)を2つ設ける。酸化膜の縁部には受光層(4)からの電荷取りだし用の浮遊拡散層(5,6)を設けるとともに、その外側にリセット用ゲート電極及びリセット電位供給用の拡散層を設ける。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)