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1. (WO2005076666) 薄膜発熱体およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/076666    国際出願番号:    PCT/JP2004/003989
国際公開日: 18.08.2005 国際出願日: 23.03.2004
IPC:
H05B 3/10 (2006.01), H05B 3/12 (2006.01), H05B 3/14 (2006.01), H05B 3/20 (2006.01)
出願人: THE DOSHISHA [JP/JP]; 601, Genbu-cho, Karasuma-higashi-iru Imadegawa-dori, Kamigyo-ku Kyoto-shi, Kyoto 602-8580 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NARUO, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIKADO, Shinzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKISAKA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NARUO, Noboru; (JP).
YOSHIKADO, Shinzo; (JP).
WAKISAKA, Kenichi; (JP)
代理人: TANIGAWA, Hidekazu; P.O. Box 53, OMM Building 8F 7-31, Otemae 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 540-0008 (JP)
優先権情報:
2004-027523 04.02.2004 JP
発明の名称: (EN) HEAT PORDUCING MATERIAL IN THIN FILM FORM AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF
(FR) MATIERE THERMOGENE SOUS FORME DE COUCHE MINCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 薄膜発熱体およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A heat producing material in a thin film form, which comprises a thin film comprising MoSi2 as a main component formed on a substrate; a thin film heating element comprising a substrate and, formed thereon, a thin MoSi2 film; and a method for manufacturing the thin film heating element, which comprises depositing MoSi2 directly on a crucible or the like as a thin film by means of a RF magnetron sputtering system or the like. The thin film heating element has allowed the solution of the problems associated with a conventional heating element using silicon carbide, molybdenum, tantalum or tungsten, that a thin film element and a small size element are difficult to manufacture, the form of the element is frequently limited to a plate and a wire, and heat efficiency is poor. The above method has improved defects of conventional MoSi2 materials and has allowed the manufacture of the above heating element capable of heating with high efficiency.
(FR)Matière thermogène sous forme de couche mince, comprenant, comme constituant principal, une couche mince composée de MoSi2 formée sur un substrat ; un élément chauffant à couche mince comprenant un substrat et, formée sur celui-ci, une couche mince de MoSi2 ; et procédé de fabrication de l’élément chauffant à couche mince, comprenant le dépôt de MoSi2 directement sur un creuset ou autre pour former une couche mince, au moyen d’un système de pulvérisation cathodique à magnétron RF ou autre. L’élément chauffant à couche mince a permis de résoudre les problèmes dus à un élément chauffant traditionnel utilisant du carbure de silicium, du molybdène, du tantale ou du tungstène, au fait qu’un élément à couche mince et un élément de petite taille sont difficiles à fabriquer, au fait que la forme de l’élément est souvent limitée à une plaquette ou un fil et que la rendement de chauffage est médiocre. Le procédé ci-dessus a remédié aux défauts des matières traditionnelles à base de MoSi2 et a permis de fabriquer l’élément chauffant ci-dessus capable d’un chauffage à très haut rendement.
(JA)本発明は、従来の炭化ケイ素、モリブデン、タンタル、タングステンを用いた発熱体の課題である、薄膜化が困難であり、小さくできず、また形状も、板状、ワイヤー状に限られる場合が多く、熱効率が悪いという課題を解決する薄膜発熱器であり、MoSiの欠点を、RFマグネトロンスパッタリング装置などを用いて、るつぼ等に直接薄膜として堆積させることで改善し、高効率の加熱が可能な薄膜状のMoSi薄膜発熱体、および、基体にMoSi薄膜を形成した薄膜発熱器を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)