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1. (WO2005076369) 高耐電圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/076369    国際出願番号:    PCT/JP2005/001705
国際公開日: 18.08.2005 国際出願日: 04.02.2005
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 29/744 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
出願人: THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. [JP/JP]; 6-16, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308270 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGAWARA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGAWARA, Yoshitaka; (JP)
代理人: HIGASHIMA, Takaharu; Aoyama & Partners IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 540-0001 (JP)
優先権情報:
2004-031214 06.02.2004 JP
発明の名称: (EN) HIGH BREAKDOWN VOLTAGE WIDE GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A LARGE ENTREFER AVEC TENSION DE CLAQUAGE ELEVEE ET DISPOSITIF D’ALIMENTATION
(JA) 高耐電圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置
要約: front page image
(EN)A high breakdown voltage semiconductor device in which the degradation of the forward voltage is lessened, the life is long, and the reliability is high. The junction between the drift layer and the anode layer of a bipolar semiconductor device and a field relaxation layer thereof are so formed that they are spaced from each other. The end of the anode electrode is opposed to the semiconductor region between the junction and the field relaxation layer, with an insulating film interposed therebetween. When a reverse bias is applied, the junction and the field relaxation layer are electrically interconnected by the field effect given by the electrode to the drift layer between the junction and the field relaxation layer through the insulating film. As a result, the field concentration on the end of the junction is relaxed. When a forward bias is applied, the junction is electrically isolated from the field relaxation layer so as to pass the forward current only through the junction.
(FR)Dispositif semi-conducteur à tension de claquage élevée dans lequel la dégradation de la tension directe est amoindrie, la durée de vie longue et la fiabilité élevée. La jonction entre la couche de migration et la couche anode d’un dispositif semi-conducteur bipolaire et une couche de relaxation de champ de celui-ci sont formées de manière à être espacées l’une de l’autre. L’extrémité de l’électrode anode est opposée à la zone semi-conductrice entre la jonction et la couche de relaxation de champ, avec un film isolant interposé entre celles-ci. Si l’on applique une polarisation inverse, la jonction et la couche de relaxation de champ sont interconnectées électriquement par l’effet de champ produit par l’électrode à la couche de migration entre la jonction et la couche de relaxation de champ à travers le film isolant. Par conséquent, la concentration de champ à l’extrémité de la jonction est relâchée. Lors de l’application d’une polarisation directe, la jonction est isolée électriquement de la couche de relaxation de champ de façon à ne laisser passer le courant direct qu’à travers la jonction.
(JA) 高耐電圧半導体装置の順方向電圧劣化を低減し、長寿命かつ信頼性の高い半導体装置を提供すること。  バイポーラ半導体素子のドリフト層とアノード層との接合と、電界緩和層とを離隔して形成し、前記接合と電界緩和層との間の半導体領域に、アノード電極の端部を絶縁膜を介して対向させる。逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。順バイアス時には、接合と電界緩和層を電気的にも離隔して順方向電流が接合のみを通って流れるようにする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)