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1. (WO2005076341) 薄膜及びp型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/076341    国際出願番号:    PCT/JP2004/013246
国際公開日: 18.08.2005 国際出願日: 10.09.2004
予備審査請求日:    05.12.2005    
IPC:
H01L 21/363 (2006.01)
出願人: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTOMO, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUMURA, Tomoaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKAZAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTANI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWASAKI, Masashi; (JP).
OHTOMO, Akira; (JP).
FUKUMURA, Tomoaki; (JP).
TSUKAZAKI, Atsushi; (JP).
OHTANI, Makoto; (JP)
代理人: SUGIMURA, Kosaku; 7F, Kazan Building, 2-4, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
2004-031194 06.02.2004 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING p-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM AND THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE FILM MINCE D’OXYDE DE ZINC DE TYPE p ET FILM MINCE, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 薄膜及びp型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス
要約: front page image
(EN)A process for producing a thin film, in which not only can high crystallinity and surface flatness be realized but also dopant doping can be performed at high concentration. There is provided a process comprising the low temperature highly doped layer growing step of performing dopant doping while growing a thin film at a given first temperature; the annealing step of discontinuing the growth of thin film and annealing the thin film at a given second temperature higher than the first temperature; and the high temperature lowly doped layer growing step of growing a thin film at the second temperature.
(FR)Procédé de fabrication de film mince, permettant non seulement d’obtenir une cristallinité élevée et une excellente planéité de surface, mais également un dopage accru à forte concentration. Il est prévu un procédé comprenant la phase de formation de couche fortement dopée à basse température, pour accroître le dopage tout en produisant un film mince à une première température donnée; la phase de recuit pour interrompre la production du film mince et de recuit du film mince à une seconde température donnée supérieure à la première température; et la phase de formation de couche faiblement dopée à température élevée pour produire un film mince à la seconde température.
(JA) 高い結晶性及び表面平坦性を実現すると共に、高濃度でドーパントをドーピングすることができる薄膜製造方法を提供する。  所定の第1温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し前記第1温度より高い所定の第2温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、前記第2温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)