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1. (WO2005076332) 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/076332    国際出願番号:    PCT/JP2005/001521
国際公開日: 18.08.2005 国際出願日: 02.02.2005
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 33-8, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKEMOTO, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORINAGA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKEMOTO, Makoto; (JP).
MORINAGA, Hitoshi; (JP)
代理人: SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg. 38, Kanda-Higashimatsushitacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010042 (JP)
優先権情報:
2004-032222 09.02.2004 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE CLEANING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND CLEANING METHOD
(FR) LIQUIDE DE NETTOYAGE POUR SUBSTRAT POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE NETTOYAGE
(JA) 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a substrate cleaning liquid for semiconductor devices which is capable of removing particle contamination, organic contamination and metal contamination at the same time without corroding the substrate surface. Furthermore, the substrate cleaning liquid has good water rinsability, and is capable of making the substrate surface highly clean in a short time. Also disclosed is a cleaning method. Specifically disclosed is a substrate cleaning liquid for semiconductor devices containing an organic acid as the component (a), an organic alkali component as the component (b), a surfactant as the component (c) and water as the component (d) and having a pH of not less than 1.5 and less than 6.5. Also disclosed is a method for cleaning a substrate for semiconductor devices wherein a substrate for semiconductor devices after a CMP treatment which has a Cu film and a low dielectric constant insulating film on the surface is cleaned using the above-described substrate cleaning liquid.
(FR)Il est divulgué un liquide de nettoyage pour substrat pour dispositifs semi-conducteurs capable de supprimer la contamination particulaire, la contamination organique et la contamination métallique simultanément sans corroder la surface du substrat. En outre, le liquide de nettoyage pour substrat est facile à rincer à l’eau et peut rendre la surface du substrat extrêmement propre en peu de temps. Il est également divulgué un procédé de nettoyage. Il est spécifiquement divulgué un liquide de nettoyage pour substrat pour dispositifs semi-conducteurs contenant un acide organique comme composant (a), un composant alcalin organique comme composant (b), un tensioactif comme composant (c) et de l’eau comme composant (d) et avec un pH supérieur ou égal à 1,5 et inférieur à 6,5. Il est aussi divulgué un procédé de nettoyage d’un substrat pour dispositifs semi-conducteurs dans lequel on nettoie un substrat pour dispositifs semi-conducteurs après traitement CMP possédant un film de cuivre et un film isolant de faible constante diélectrique à la surface, à l’aide du liquide de nettoyage pour substrat décrit ci-dessus.
(JA) 基板表面を腐食することなくパーティクル汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法を提供する。  成分(a):有機酸、成分(b):有機アルカリ成分、成分(c):界面活性剤、及び成分(d):水を含み、pHが1.5以上6.5未満である半導体デバイス用基板洗浄液。この半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、表面にCu膜と低誘電率絶縁膜とを有し、かつ、CMP処理後の半導体デバイス用基板を洗浄する半導体デバイス用基板の洗浄方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)