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1. (WO2005076328) 不純物導入方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/076328    国際出願番号:    PCT/JP2005/001706
国際公開日: 18.08.2005 国際出願日: 04.02.2005
予備審査請求日:    29.06.2005    
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Yuichiro; (米国のみ).
OKUMURA, Tomohiro; (米国のみ).
MIZUNO, Bunji; (米国のみ).
JIN, Cheng-Guo; (米国のみ).
NAKAYAMA, Ichiro; (米国のみ).
MAESHIMA, Satoshi; (米国のみ).
OKASHITA, Katsumi; (米国のみ)
発明者: SASAKI, Yuichiro; .
OKUMURA, Tomohiro; .
MIZUNO, Bunji; .
JIN, Cheng-Guo; .
NAKAYAMA, Ichiro; .
MAESHIMA, Satoshi; .
OKASHITA, Katsumi;
代理人: TAKAMATSU, Takeshi; Eikoh Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2004-031174 06.02.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR INTRODUCING IMPURITIES
(FR) PROCEDE D’INTRODUCTION D’IMPURETES
(JA) 不純物導入方法
要約: front page image
(EN)A method for introducing impurities, in which a process of a combination of amorphizing plasma irradiation and plasma doping can be repeated through a simple step with a high throughput without causing any failure of the equipment. At the time of switching between the plasma used in the amorphizing plasma irradiation and the plasma used in plasma doping, discharge is stopped and the initial conditions at the matching point of a high frequency power supply or the peripheral circuit are reset suitably to the plasma used in each process. Alternatively, the load on the high frequency power is lightened at the time of the switching by raising the pressure or lowering the bias voltage.
(FR)Procédé d’introduction d’impuretés, dans lequel on peut répéter un processus d’une combinaison d’irradiation de plasma amorphisant et de dopage de plasma en une phase simple avec un rendement élevé sans provoquer de panne quelconque de l’équipement. Au moment de la commutation entre le plasma utilisé dans l’irradiation de plasma amorphisant et le plasma utilisé dans le dopage de plasma, on arrête la décharge et les conditions initiales au point de correspondance d’une alimentation haute fréquence ou du circuit périphérique sont réinitialisées comme il convient au plasma utilisé dans chaque processus. Une autre solution consiste à alléger la charge exercée sur l’alimentation haute fréquence au moment de la commutation en augmentant la pression ou en abaissant la tension de polarisation.
(JA) アモルファス化プラズマ照射とプラズマドーピングを組合せたプロセスを工程が簡単でスループットが高い状態で装置を故障させることなく繰り返し行うことができる不純物導入方法を提供する。  アモルファス化プラズマ照射とプラズマドーピングで使用するプラズマを切り替える時に、放電を止めて高周波電源や周辺回路の整合ポイントの初期状態を各工程で使用するプラズマに適応するように設定し直す、または、圧力を上げたりバイアス電圧を下げたりして切り替え時に高周波電源などに掛かる負荷を低減する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)