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1. (WO2005074081) 半導体レーザ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/074081    国際出願番号:    PCT/JP2005/000273
国際公開日: 11.08.2005 国際出願日: 13.01.2005
IPC:
H01S 5/323 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHYA, Masaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHYA, Masaki; (JP)
代理人: MARUYAMA, Takao; Maruyama Patent Office, SAM Build. 3 Floor 38-23, Higashi-Ikebukuro 2-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2004-023823 30.01.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER SEMI-CONDUCTOR
(JA) 半導体レーザ
要約: front page image
(EN)A high output power semiconductor laser for communications realizing a high optical output power with a low operating current, high optical fiber coupling efficiency and an excellent high-temperature characteristic without impairing mass productivity. An n-type InGaAsP mode-expansion layer (102) is provided between an n-type InP substrate (101) and an n-type InP clad layer (103). An n-side optical waveguide layer (104) and a p-side optical waveguide layer (106) are different from each other in their compositions and/or layer thicknesses. The mode-expansion layer (102) is a high refractive index layer composed of one or more layers having different refraction indexes from that of the n-type clad layer (103). The effective refractive index of the mode-expansion layer (102) is higher than that of a p-type clad layer (107). The distance between the n-side optical waveguide layer (104) and the mode-expansion layer (102) is 0.2 μm or more.
(FR)Laser semi-conducteur à forte puissance de sortie pour des communications obtenant une forte puissance de sortie avec un faible courant de fonctionnement, haut rendement de couplage par fibre optique et excellente caractéristique pour haute température sans entraver la productivité de série. Une couche mode-expansion InGaAsP de type n (102) est prévue entre un substrat InP de type n (101) et une gaine InP de type n (103). Une couche guide d'ondes optique côté n (104) et une couche guide d'ondes optique côté p (106) diffèrent l'une de l'autre de par leurs compositions et/ou leurs épaisseurs de couche. La couche mode-expansion (102) est une couche à fort indice de réfraction composée d'une ou plusieurs couches ayant des indices de réfraction différents de celui de la gaine de type n (103). L'indice de réfraction effectif de la couche mode-expansion (102) est plus élevé que celui de la gaine de type p (107). La distance entre la couche guide d'ondes optique côté n (104) et la couche mode-expansion (102) est de 0,2 mm ou plus.
(JA) 量産性を損なうことなく、高い光出力を低い動作電流で実現でき、高い光ファイバ結合効率と優れた高温特性を実現できる通信用高出力半導体レーザを提供する。  n型InP基板101とn型InPクラッド層103との間にn型InGaAsPモード拡大層102を設け、n側光ガイド層104とp側光ガイド層106が、その組成または層厚またはその両方が異なる構造であり、モード拡大層102はn型クラッド層103とは屈折率の異なる単数もしくは複数の層で構成された高屈折率層であり、その実効屈折率がp型クラッド層107の実効屈折率と比べて高く、n側光ガイド層104とモード拡大層102との距離を0.2μm以上とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)