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1. (WO2005074080) 面発光レーザ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/074080    国際出願番号:    PCT/JP2005/001336
国際公開日: 11.08.2005 国際出願日: 31.01.2005
IPC:
H01S 5/183 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ANAN, Takayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORI, Kazuo; (JP).
ANAN, Takayoshi; (JP)
代理人: YAMAKAWA, Masaki; c/o Yamakawa International Patent Office 8th Floor, Shuwa-Tameike Building 4-2, Nagatacho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
優先権情報:
2004-023287 30.01.2004 JP
発明の名称: (EN) SURFACE-EMITTING LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) LASER À EMISSION DE SURFACE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 面発光レーザ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A surface-emitting laser comprises a multilayer structure (20) where on a substrate (1), a first DBR layer (2), a first clad layer (3), an active layer (4), a second clad layer (5), an oxidizing current constricting portion forming layer (6), and a second DBR layer (7) are sequentially formed, and upper and lower electrodes (8, 9). A structure modulating region (12) extending from near a step (11) formed on the substrate (1) is present in a partial region of the multilayer structure (20) spaced a predetermined distance from the optical axis (10). At least one of the parameters of the structure modulating region (12) such as the layer thickness, the interface flatness, and the inclination of the interface to the substrate surface is different from that of the other region. The reflectance of the structure modulating region (12) is lower than that of the central part of emission including the optical axis (10). The effective width (A) of the high reflection region of the inside surrounded by the structure modulating region (12) is approximately equal to the width of the fundamental transverse mode light. The diameter (B) of the nonoxidized region of a current constricting portion is wider than this. Thus, a surface-emitting laser having a simple structure and an excellent single-mode oscillation characteristic can be produced without greatly increasing the steps.
(FR)Un laser à émission de surface comprend une structure multicouche (20) où il est formé séquentiellement sur un substrat (1), une première couche DBR (2) (Distributed Bragg Reflector = réflecteur Bragg distribué), une première couche plaquée (3), une couche active(4), une seconde couche plaquée (5), une couche formant une portion d'étranglement de courant oxydant (6), et une seconde couche DBR (7), et des électrodes inférieurs et supérieurs (8, 9). Une zone de modulation de structure (12) s'étendant depuis la proximité d'un palier (11) formé sur le substrat (1) se trouve dans une région partielle de la structure multicouche (20) espacée à une distance prédéterminée de l'axe optique (10). Au moins l'un des paramètres de la région de modulation de structure (12) tels que l'épaisseur de couche, la planéité d'interface, et l'inclinaison de l'interface vers la surface de substrat est différent de celui de l'autre zone. La réflectance de la zone de modulation de structure (12) est inférieure à celle de la partie centrale de l'émission incluant l'axe optique (10). La largeur effective (A) de la zone de réflexion élevée de l'intérieur entouré par la zone de modulation de structure (12) est approximativement égale à la largeur de la lumière en mode transversal fondamental. Le diamètre (B) de la zone de non oxydation de la partie d'étranglement de courant est plus large que celle-ci. Ainsi, un laser à émission de surface ayant une structure simple et une caractéristique excellente d'oscillation monomode peut être produit sans une augmentation conséquente des paliers.
(JA) 基板(1)上に第1のDBR層(2)、第1クラッド層(3)、活性層(4)、第2クラッド層(5)、酸化電流狭窄部形成層(6)、第2のDBR層(7)が順次積層された積層構造(20)と、上部電極(8)及び下部電極(9)とを有する。また、光軸(10)から所定の距離以上離れた積層構造(20)の一部領域に、基板(1)上に形成された段差(11)付近から伸びる構造変調領域(12)が存在する。この構造変調領域(12)は、層厚、界面平坦性及び界面の基板面に対する傾き等のパラメータの少なくとも1つが他の領域と異なり、光軸(10)を含む発光の中心部に比べて反射率が低い。構造変調領域(12)に囲まれた内側の高反射領域の実効的な幅(A)を、ほぼ基本横モード光の幅に等しく設定する。一方、電流狭窄部の非酸化領域の直径(B)を、これより広めに設定する。このような構成とすることにより、簡単な構造で、工程を著しく増加させることなく、単一モード発振特性の優れた面発光レーザを得ることができる。                                                                                 
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)