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1. (WO2005074034) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/074034    国際出願番号:    PCT/JP2005/001245
国際公開日: 11.08.2005 国際出願日: 28.01.2005
予備審査請求日:    28.11.2005    
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Kenji [JP/US]; (US) (米国のみ).
CHUNG, Gishi [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
OKUBO, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Kenji; (US).
CHUNG, Gishi; (JP).
OKUBO, Kazuya; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
優先権情報:
2004-021924 29.01.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate (1), a gate insulating film such as a gate oxide film (2) formed on the substrate, and a gate electrode (3) formed on the insulating film. The gate electrode (3) has a metal compound film (3a) which is formed by CVD using a raw material such as a W(CO)6 gas that contains a metal carbonyl and at least one of an Si-containing gas and an N-containing gas. The work function of the metal compound film (3a) can be controlled by changing the amount of Si and/or N contained therein.
(FR)Il est divulgué un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur (1), Une couche isolante de grille telle qu'une couche d'oxyde de grille (2) formé sur le substrat et une électrode de grille (3) formé sur la couche isolante. L'électrode grille (3) présente une couche de compose métallique (3a) qui est formé par CVD (dépôt chimique en phase vapeur) utilisant un matériau brut tel que le gaz W(CO)6 qui contient du carbonyle de métal et au moins contenant du Si et un gaz contenant N. La fonction de la couche de composé métallique (3a) peut être contrôlée en modifiant la quantité de Si et/ou N contenu dans le composé.
(JA) 本発明は、半導体基板(1)と、この基板の上に形成されたゲート絶縁膜、例えばゲート酸化膜(2)と、この絶縁膜の上に形成されたゲート電極(3)とを備えた半導体装置に関する。ゲート電極(3)は、金属化合物膜(3a)を有する。この金属化合物膜(3a)は、金属カルボニルを含有する原料、例えばW(CO)ガスと、Siを含有するガスおよびNを含有するガスのうち少なくとも1つとを用いたCVDにより形成される。このようにして形成される金属化合物膜(3a)は、そのSiおよび/またはNの含有量によって、その仕事関数の値を制御することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)