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1. WO2005073812 - ホトマスク用ホトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及びホトマスクの製造方法

公開番号 WO/2005/073812
公開日 11.08.2005
国際出願番号 PCT/JP2005/000906
国際出願日 25.01.2005
IPC
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 松宮 祐 MATSUMIYA, Tasuku [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 岩井 武 IWAI, Takeshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • FUJIMURA, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 松宮 祐 MATSUMIYA, Tasuku
  • 岩井 武 IWAI, Takeshi
  • FUJIMURA, Satoshi
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio
優先権情報
2004-02560702.02.2004JP
2004-02560802.02.2004JP
2004-03222409.02.2004JP
2004-03222509.02.2004JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTORESIST COMPOSITION FOR PHOTOMASK, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK
(FR) COMPOSITION PHOTORÉSISTANTE POUR MASQUE PHOTOGRAPHIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION D’UN MODÈLE RÉSISTANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MASQUE PHOTOGRAPHIQUE
(JA) ホトマスク用ホトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及びホトマスクの製造方法
要約
(EN)
A resist composition for a photomask, which comprises (A) a resin component having a constituting unit derived from an (&agr;-lower alkyl)acrylic acid as a primary component, (B) an acid generator generating an acid by the exposure to a light, and (D) a polymer compound containing a hydroxystyrene constituting unit (d11) and a constituting unit (d12) having a dissolution inhibiting group being dissociated by an acid, or which comprises (A) the resin component, (B1) an onium salt type acid generator having a fluorine-substituted alkylsulfonate ion, and (B2) an onium salt type acid generator having an alkylsulfonate ion being not substituted with fluorine. The above resist composition allows the manufacture of a photomask of a pattern shape having a side wall exhibiting high perpendicularity and a cross section being nearly rectangular.
(FR)
Composition résistante pour un masque photographique, qui comprend (A) un composant résineux ayant un motif constitutif dérivé d’un acide d’alkyle &agr;-inférieur acrylique en tant que composant primaire, (B) un générateur d’acide générant un acide par exposition à une lumière, et (D) un composé polymère contenant un motif constitutif hydroxystyrène (d11) et un motif constitutif (d12) ayant un groupe d’inhibition de la dissolution étant dissocié par un acide, ou qui comprend (A) le composant résineux, (B1) un générateur d’acide de type sel d’onium ayant un ion alkylsulfonate substitué par du fluor, et (B2) un générateur d’acide de type sel d’onium ayant un ion alkylsulfonate n’étant pas substitué par du fluor. La composition résistante ci-dessus permet de fabriquer un masque photographique d’une forme ayant une paroi latérale présentant une haute perpendicularité et une section transversale étant pratiquement rectangulaire.
(JA)
 ホトマスクの製造にあたって側壁の垂直性の高い、断面矩形に近いパターン形状が得られるホトマスク用ホトレジスト組成物が提供される。このレジスト組成物は、 (A)(α−低級アルキル)アクリル酸から誘導される構成単位を主成分とする樹脂成分と、(B)露光により酸を発生する酸発生剤と、(D)ヒドロキシスチレン構成単位(d11)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(d12)とを含む高分子化合物とを含み、又は(A)樹脂成分と、(B1)フッ素置換アルキルスルホン酸イオンを有するオニウム塩系酸発生剤と、(B2)フッ素で置換されていないアルキルスルホン酸イオンを有するオニウム塩系酸発生剤とを含む。
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