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1. (WO2005073672) 磁気センサ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/073672    国際出願番号:    PCT/JP2005/001070
国際公開日: 11.08.2005 国際出願日: 27.01.2005
IPC:
G01R 33/09 (2006.01)
出願人: SANKYO SEIKI MFG. CO., LTD. [JP/JP]; 5329, Shimosuwa-machi Suwa-gun, Nagano 3938511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NOGUCHI, Naoyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MOMOSE, Shogo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARUGA, Fusayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEMURA, Masao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NOGUCHI, Naoyuki; (JP).
MOMOSE, Shogo; (JP).
ARUGA, Fusayoshi; (JP).
TAKEMURA, Masao; (JP)
代理人: IWANAGA, Kazuhisa; SHIMA Bldg. 1F 3-18-40, Minamiikebukuro Toshima-ku, Tokyo 1710022 (JP)
優先権情報:
2004-025300 02.02.2004 JP
2004-025301 02.02.2004 JP
2004-267134 14.09.2004 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) CAPTEUR MAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 磁気センサ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A magnetic sensor comprises magnetoresistor thin films used in view of improvement of identification accuracy of operation of the magnetic sensor so as to prevent degradation of the degree of freedom of arrangement attributed to the narrow intervals between the magnetoresistor thin films. The number of magnetoresistive elements for canceling the harmonics can be increased to an extent that the production of the magnetic sensor does not became difficult while flexibly adjusting the intervals between magnetoresistive elements. The thermal characteristics are uniformed and the identification accuracy is improved. The magnetic sensor has magnetoresistance pattern where magnetoresistor thin films are formed on a substrate, and the magnetoresistance pattern is composed of A-phase and B-phase magnetoresistance patterns which output two signals having phases which are different by 90°. The magnetic sensor is characterized in that the magnetoresistance pattern is formed by combining two substrates.
(FR)Un capteur magnétique comprend de fines pellicules de résistance magnétique utilisées afin d'améliorer la précision d'identification du fonctionnement du capteur magnétique pour prévenir la dégradation du degré de liberté de la disposition attribuée aux intervalles étroits entres les fines pellicules de résistance magnétique. Il est possible d'augmenter le nombre d'éléments résistance magnétique pour neutraliser les harmoniques dans une certaine mesure pour que la fabrication du capteur magnétique ne soit pas difficile tout en réglant avec souplesse les intervalles entre les éléments de résistance magnétique. Les propriétés thermiques sont uniformisées et la précision de l'identification est améliorée. Le capteur magnétique présente un motif de résistance magnétique là où se forment les fines pellicules de résistance magnétique sur un substrat et le motif de résistance magnétique est constitué de motifs de résistance magnétique de phase A et de phase B qui produisent deux signaux dont les phases diffèrent de 90°. Le capteur magnétique se caractérise du fait que le motif de résistance magnétique est formé par la combinaison de deux substrats.
(JA) 磁気センサを動作させるにあたって、識別精度向上の観点から複数個の磁気抵抗体薄膜を使用するが、それらの磁気抵抗体薄膜の間隔の狭小化に起因した配置自由度の低下を防ぐこと、磁気抵抗素子間の間隔を柔軟に調整しつつ、製造困難とならない程度に各高調波を打ち消す磁気抵抗素子の本数を増やすことができ、ひいては熱特性の均一化と識別精度の向上を図ることが可能な磁気センサを提供する。磁気抵抗体薄膜が基板上に形成された磁気抵抗パターンを有し、この磁気抵抗パターンは、90°位相の異なる2個の信号を出力するA相磁気抵抗パターンとB相磁気抵抗パターンとから構成される磁気センサにおいて、その磁気抵抗パターンは、2個の基板が組み合わされて形成されることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)