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1. (WO2005073418) タングステン系焼結体およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/073418    国際出願番号:    PCT/JP2005/001274
国際公開日: 11.08.2005 国際出願日: 28.01.2005
IPC:
B22F 3/15 (2006.01), C22C 27/04 (2006.01)
出願人: NIPPON TUNGSTEN CO., LTD. [JP/JP]; 2-8, Minoshima 1-chome Hakata-ku, Fukuoka-shi Fukuoka 8128538 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIBUYA, Takuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAMOTO, Shuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUO, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAGUCHI, Shigeya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIBUYA, Takuji; (JP).
TERAMOTO, Shuichi; (JP).
MATSUO, Shigeru; (JP).
SAKAGUCHI, Shigeya; (JP)
代理人: KOHORI, Susumu; Hakata-Shin-Mitsui Bldg. 1-1, Hakataekimae 1-chome Hakata-ku, Fukuoka-shi Fukuoka 8120011 (JP)
優先権情報:
2004-023767 30.01.2004 JP
発明の名称: (EN) TUNGSTEN BASED SINTERED COMPACT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPRIME FRITTE A BASE DE TUNGSTENE ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) タングステン系焼結体およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A tungsten-based sintered compact produced by the above method has a relative density of 99.5 % or more (has a pore volume of 0.5 % or less) and has a structure being uniform and having isotropy; a method for producing the tungsten-based sintered compact, which comprises subjecting a tungsten-based powder to the CIP treatment under a pressure of 350 MPa or more, sintering the resultant product in a hydrogen atmosphere under a condition of a sintering temperature of 1600°C or higher and a holding time of 5 hours or more, and subjecting the resultant product to the HIP treatment in an argon gas under a condition of 150 MPa or more and 1900°C or higher; and an electrode for a discharge lamp, a sputtering target, a crucible, a member for shielding an irradiation, an electrode for resistance welding, and the like using the above sintered compact. The above tungsten-based sintered compact can be suitably used for an electrode for a discharge lamp, a sputtering target, a crucible, a member for shielding an irradiation, an electrode for discharge machining, a substrate for mounting a semiconductor element, a structural member and the like.
(FR): Un comprimé fritté à base de tungstène produit par le procédé ci-dessus a une densité relative supérieure ou égale à 99,5 % (a un volume des pores inférieur ou égal à 0,5 %) et a une structure qui est uniforme et qui est isotrope ; procédé servant à produire le comprimé fritté à base de tungstène, lequel comprend de soumettre une poudre à base de tungstène au traitement CIP sous une pression supérieure ou égale à 350 MPa, de fritter le produit résultant dans une atmosphère d'hydrogène dans des conditions de température de frittage supérieure ou égale à 1600°C et de durée de maintien supérieure ou égale à 5 heures et de soumettre le produit résultant au traitement HIP dans de l'argon gazeux dans des conditions de 150 MPa ou plus et de 1900°C ou plus ; et électrode pour lampe à décharge, cible de pulvérisation, creuset, élément pour faire écran à une irradiation, électrode pour soudage par résistance et similaires utilisant le comprimé fritté ci-dessus. Le comprimé fritté à base de tungstène ci-dessus peut être utilisé de façon appropriée pour une électrode pour lampe à décharge, une cible de pulvérisation, un creuset, un élément pour faire écran à une irradiation, une électrode pour usinage à décharge, un substrat pour monter un élément semi-conducteur, un élément de structure et similaires.
(JA) 本発明は、従来技術で得られなかった相対密度99.5%以上(ポアの体積率が0.5%以下)で、組織は均一で等方性を有するタングステン系焼結体を得ることを課題とする。  また、前記焼結体を用いた放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、抵抗溶接用電極などを得ることを課題とした。  タングステン系粉末に、圧力は350MPa以上にてCIP処理を行い、水素ガス雰囲気中にて焼結温度1600°C以上、保持時間5時間以上の条件で焼結を行い、アルゴンガス中150MPa以上、1900°C以上の条件でHIP処理を行うことにより課題のタングステン系焼結体が得られる。  また、このタングステン系焼結体は、放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、放電加工用電極、半導体素子搭載基板、構造用部材などに好適する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)