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1. (WO2005071723) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/071723    国際出願番号:    PCT/JP2005/000751
国際公開日: 04.08.2005 国際出願日: 21.01.2005
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-20, Higashi-Nakano 3-chome Nakano-ku Tokyo 164-8511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SANO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HORII, Sadayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITATANI, Hideharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ASAI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SANO, Atsushi; (JP).
HORII, Sadayoshi; (JP).
ITATANI, Hideharu; (JP).
ASAI, Masayuki; (JP)
代理人: YUI, Tohru; 21 TOWA Bldg. 3F 4-6-1, Iidabashi Chiyoda-ku, Tokyo 102-0072 (JP)
優先権情報:
2004-012885 21.01.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
(JA) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device which enables to easily control the nitrogen concentration distribution in a film containing a metal atom and a silicon atom, thereby producing a high-quality semiconductor device. Also disclosed is a substrate processing system. The method comprises a step wherein a film containing a metal atom and a silicon atom is formed on a substrate (30) in a reaction chamber (4) and a step for nitriding the thus-formed film. In the film-forming step, a film is formed while changing the silicon concentration by at least two steps.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui permet de réguler facilement la concentration d'azote dans un film contenant un atome de métal et un atome de silicium, ce qui permet de produire un dispositif à semi-conducteur de haute qualité. L'invention concerne également un système de traitement de substrats. Le procédé selon l'invention consiste former un film contenant un atome de métal et un atome de silicium sur un substrat (30) dans une chambre de réaction (4) et à nitrurer le film ainsi obtenu. Dans l'étape de formation du film, un film est formé pendant que la concentration de silicium est modifiée à l'aide d'au moins deux étapes.
(JA) 金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。  基板30上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室4で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも2段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)