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1. (WO2005047560) 結晶膜の製造方法、結晶膜付き基体の製造方法、熱電変換素子の製造方法、および熱電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/047560    国際出願番号:    PCT/JP2004/017006
国際公開日: 26.05.2005 国際出願日: 16.11.2004
IPC:
H01L 35/22 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOTSUHASHI, Satoshi; (米国のみ).
ADACHI, Hideaki; (米国のみ).
SUGITA, Yasunari; (米国のみ).
KANNO, Tsutomu; (米国のみ)
発明者: YOTSUHASHI, Satoshi; .
ADACHI, Hideaki; .
SUGITA, Yasunari; .
KANNO, Tsutomu;
代理人: KAMADA, Koichi; 7th Fl., TOMOE MARION BLDG., 4-3-1, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
2003-386604 17.11.2003 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING CRYSTAL FILM, METHOD FOR PRODUCING BASE WITH CRYSTAL FILM, METHOD FOR PRODUCING THERMOELECTRIC CONVERTER, AND THERMOELECTRIC CONVERTER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM CRISTALLIN, PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE BASE AVEC UN FILM CRISTALLIN, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CONVERTISSEUR THERMOELECTRIQUE, ET CONVERTISSEUR THERMOELECTRIQUE
(JA) 結晶膜の製造方法、結晶膜付き基体の製造方法、熱電変換素子の製造方法、および熱電変換素子
要約: front page image
(EN)In the field of functional devices such as thermoelectric converters, bases suitable for epitaxial growth are not always bases desirable for use. In the present invention, a certain layered structure formed on a base is separated therefrom by the action of water vapor. Specifically, disclosed is a method for producing a crystal film which comprises a step for epitaxially growing a crystal film including a layered structure on a base in such a manner that the layered structure is in contact with the base, a step for bringing water vapor supplied from a water vapor supply source into contact with the layered structure in a chamber, and a step for obtaining the crystal film by separating the layered structure from the base. The layered structure comprises a layer containing an alkali metal and another layer containing oxide of at least one element selected from the group consisting of Co, Fe, Ni, Mn, Ti, Cr, V, Nb and Mo.
(FR)Dans le domaine des dispositifs fonctionnels tels que les convertisseurs thermoélectriques, les bases permettant une croissance épitaxiale ne sont pas toujours souhaitables pour une utilisation ultérieure. Dans la présente invention, une structure en couches formée sur une base est séparée de celle-ci sous l'action d'une vapeur d'eau. Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé destiné à produire un film cristallin et consistant à assurer la croissance épitaxiale d'un film cristallin comprenant une structure en couches sur une base de sorte que la structure en couches soit en contact avec la base, à mettre la vapeur d'eau acheminée à partir d'une source d'alimentation en vapeur d'eau en contact avec la structure en couches dans une chambre, et à obtenir le film cristallin par séparation de la structure en couches de la base. Ladite structure en couches comprend une couche contenant un métal alcalin et une autre couche contenant un oxyde d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Co, Fe, Ni, Mn, Ti, Cr, V, Nb et Mo.
(JA) 熱電変換素子等の機能素子では、エピタキシャル成長に適した基体と使用に際して望ましい基体とが一致しないことがある。本発明では、基体上に形成した所定の層状構造を水蒸気の作用によって分離することとした。本発明の結晶膜の製造方法は、基体上に層状構造を含む結晶膜を前記層状構造が前記基体と接するようにエピタキシャル成長させる工程と、水蒸気供給源から供給される水蒸気をチャンバー内において前記層状構造に接触させる工程と、前記層状構造と前記基体とを分離することにより、前記結晶膜を得る工程と、を含む。そして、前記層状構造は、アルカリ金属を含む層と、Co,Fe,Ni,Mn,Ti,Cr,V,NbおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含む層と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)