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1. (WO2005045917) 半導体基板用熱処理治具および半導体基板の熱処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/045917    国際出願番号:    PCT/JP2004/001012
国際公開日: 19.05.2005 国際出願日: 02.02.2004
IPC:
H01L 21/673 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ADACHI, Naoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIDA, Kazushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOKI, Yoshiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ADACHI, Naoshi; (JP).
YOSHIDA, Kazushi; (JP).
AOKI, Yoshiro; (JP)
代理人: MORI, Michio; M. MORI PATENT OFFICE Amagasaki Building 17-23, Higashinaniwa-cho 5-chome Amagasaki-shi, Hyogo 6600892 (JP)
優先権情報:
2003-378724 07.11.2003 JP
発明の名称: (EN) JIG FOR HEAT TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR HEAT TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) BATI POUR LE TRAITEMENT DE SUBSTRATS DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体基板用熱処理治具および半導体基板の熱処理方法
要約: front page image
(EN)A jig for heat treating a semiconductor substrate having a split structure of a first jig composed of a silicon material and supporting the semiconductor substrate by touching it directly, and a second jig (holder) for holding and mounting the first jig on a heat treatment boat, wherein deformation of the jig can be reduced by optimizing the jig material and specifying the surface roughness and surface flatness thereby suppressing concentration of stress to a specific position of the semiconductor substrate during heat treatment. Since occurrence of slip can be prevented effectively even when a semiconductor wafer having a large self-weight stress is heat treated or when heat treatment is performed under conditions of large thermal stress, the jig is applicable widely to stabilized heat treatment of a semiconductor substrate.
(FR)L'invention porte sur un bâti pour le traitement thermique de substrats de semi-conducteurs présentant une structure double comprenant: un premier bâti de silicium portant les substrat et en contact direct avec eux, et un deuxième bâti servant de support au premier bâti et à le fixer à la chambre de traitement thermique. Cette solution permet de réduire les déformations du bâti en en optimisant le matériau constitutif, et en en spécifiant la rugosité et la planéité de la surface pour supprimer les concentrations de contraintes en un point spécifique des substrats lors du traitement thermique. On évite ainsi efficacement le glissement des substrats subissant une contrainte due à leur propre poids pendant le traitement thermique, ou lorsque le traitement thermique induit de fortes contraintes thermiques. Le bâti stabilise largement le traitement thermique des substrats de semi-conducteurs. les
(JA)本発明の半導体基板用熱処理治具によれば、半導体基板と直接接触して支持するシリコン材料から構成される第1の治具と、この第1の治具を保持するとともに熱処理ボートに載置するための第2の治具(ホルダ)とからなる2分割構造で構成し、さらに治具材料の最適化を図るとともに、表面粗さと表面平坦度を規定することにより、熱処理時に半導体基板の特定箇所への応力集中を抑制し、治具の変形を低減できる。これにより、自重応力の大きい半導体ウェーハを熱処理する場合、また熱応力の大きい条件で熱処理する場合でも、スリップの発生を有効に防止でき、安定した半導体基板用の熱処理として広く適用できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)