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1. (WO2005041373) 半導体レーザ装置及び製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/041373    国際出願番号:    PCT/JP2004/014088
国際公開日: 06.05.2005 国際出願日: 27.09.2004
予備審査請求日:    08.06.2005    
IPC:
H01S 5/22 (2006.01)
出願人: PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome Meguro-ku, Tokyo 1530063 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYACHI, Mamoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIMURA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
CHIKUMA, Kiyofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYACHI, Mamoru; (JP).
KIMURA, Yoshinori; (JP).
CHIKUMA, Kiyofumi; (JP)
代理人: KOBASHI, Nobukiyo; 4F Ebisu MF Building 14th 6-10, Ebisuminami 1-chome Shibuya-ku, Tokyo 1500022 (JP)
優先権情報:
2003-364786 24.10.2003 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT LASER
(JA) 半導体レーザ装置及び製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser device where the interval between laser beam emission spots is small and its manufacturing method are disclosed. A first light-emitting element (1a) having a semiconductor substrate (12a) and a laser oscillating section (10a) and a second light-emitting element (2a) having a laser oscillating section (4a) are secured to an SOG (3a) of small thickness. A ridge waveguide (8a) of the laser oscillating section (10a) is opposed to a ridge waveguide (5a) of the laser oscillating section (4a). A conductive wiring layer (Qa1) electrically connected to an ohmic electrode layer (9a) on the ridge waveguide (8a) and a conductive wiring layer (Qa2) electrically connected to an ohmic electrode layer (6a) on the ridge waveguide (5a) extend to an insulating layer (11a) on the semiconductor substrate (12a). Ohmic electrodes (Pa1, Pa2) are formed on the bottom of the semiconductor substrate (12a) and the upper surface of the laser oscillating section (4a), respectively. When a drive current is fed between the ohmic electrode (Pa1) and the wiring layer (Qa1), the laser oscillating section (10a) emits a laser beam; similarly when a drive drive current is fed between the ohmic electrode (Pa2) and the wiring layer (Qa2), the laser oscillating section (4a) emits a laser beam. Since the laser oscillating sections (4a, 10a) are secured to the SOG (3a) of small thickness, the semiconductor laser device has a small interval between the light emission spots.
(FR)Dispositif laser à semi-conducteur dans lequel l'intervalle entre des points d'émission de faisceau laser est petit et procédé de fabrication dudit laser. Un premier élément électroluminescent (1a) possédant un substrat semi-conducteur (12a) et une partie d'oscillation laser (10a) et un second élément électroluminescent (2a) possédant une partie d'oscillation laser (4a) sont fixés sur un verre centrifugé (SOG) (3a) de faible épaisseur. Un guide d'ondes (8a) en forme de nervure de la partie d'oscillation laser (10a) est opposé à un guide d'ondes (5a) en forme de nervure de la partie d'oscillation laser (4a). Une couche de câblage conductrice (Qa1) connectée électriquement à une couche électrode ohmique (9a) située sur le guide d'ondes (8a) en forme de nervure et une couche de câblage conductrice (Qa2) connectée électriquement à une couche électrode ohmique (6a) située sur le guide d'ondes (5a) en forme de nervure s'étendent jusqu'à une couche isolante (11a) située sur le substrat semi-conducteur (12a). Des électrodes ohmiques (Pa1, Pa2) sont formées respectivement sur la face inférieure du substrat semi-conducteur (12a) et sur la surface supérieure de la partie d'oscillation laser (4a). Lorsqu'un courant d'attaque est appliqué entre les électrodes ohmiques (Pa1) et la couche de câblage (Qa1), la partie d'oscillation laser (10a) émet un faisceau laser. De la même manière, lorsqu'un courant d'attaque est appliqué entre l'électrode ohmique (Pa2) et la couche de câblage (Qa2), la partie d'oscillation laser (4a) émet un faisceau laser. Etant donné que les parties d'oscillation laser (4a, 10a) sont fixées sur le SOG (3a) de faible épaisseur, le dispositif laser à semi-conducteur selon la présente invention possède un petit intervalle entre les points d'émission de lumière.
(JA) レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。  半導体基板12aとレーザ発振部10aとを有する第1の発光素子1aと、レーザ発振部4aを有する第2の発光素子2aが、レーザ発振部10aのリッジ導波路8aとレーザ発振部4aのリッジ導波路5aを向かい合わせて、厚さの小さいSOG3aによって固着されている。リッジ導波路8a上のオーミック電極層9aに電気的に接続する導電性配線層Qa1と、リッジ導波路5a上のオーミック電極層6aに電気的に接続する導電性配線層Qa2が半導体基板12a上の絶縁層11aまで延在し、半導体基板12aの底面とレーザ発振部4aの表面にオーミック電極Pa1,Pa2がそれぞれ形成されている。オーミック電極Pa1と配線層Qa1間に駆動電流を供給するとレーザ発振部10a、オーミック電極Pa2と配線層Qa2間に駆動電流を供給するとレーザ発振部4aが夫々レーザ光を出射する。厚さの小さいSOG3aによってレーザ発振部4a,10aが固着されるため発光点間隔の小さな半導体レーザ装置となっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)