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1. (WO2005041318) スイッチング素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2005/041318 国際出願番号: PCT/JP2004/015519
国際公開日: 06.05.2005 国際出願日: 20.10.2004
IPC:
H01L 27/28 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
出願人: KAWAKAMI, Haruo[JP/JP]; JP (UsOnly)
KURODA, Masami[JP/JP]; JP (UsOnly)
KATO, Hisato[JP/JP]; JP (UsOnly)
SEKINE, Nobuyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMASHIRO, Keisuke[JP/JP]; JP (UsOnly)
FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2100856, JP (AllExceptUS)
発明者: KAWAKAMI, Haruo; JP
KURODA, Masami; JP
KATO, Hisato; JP
SEKINE, Nobuyuki; JP
YAMASHIRO, Keisuke; JP
代理人: MATSUI, Shigeru; 2nd Floor, Ginza Todoroki Bldg., 16-5, Ginza 8-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
優先権情報:
2003-36299923.10.2003JP
発明の名称: (EN) SWITCHING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUTATION
(JA) スイッチング素子
要約: front page image
(EN) A switching device having a high current density in an on state and having a high transition voltage. The device exhibits two stable resistances to a voltage applied to the electrodes. On a substrate (10), a first electrode layer (21a), an organic bistable material layer (30), and a second electrode layer (21b) are formed as thin films sequentially in order of mention. The organic bistable material layer (30) contains a main component of an electron-transporting organic bistable material and an additive of an electron-donating compound.
(FR) Cette invention se rapporte à un dispositif de commutation présentant une densité de courant élevée à l'état activé et une tension de transition élevée. Ce dispositif possède deux résistances stables à une tension appliquée aux électrodes. A cet effet, on forme séquentiellement dans l'ordre mentionné sur un substrat (10), sous la forme de minces films, une première couche électrode (21a), une couche de matériau bistable organique (30) et une seconde couche électrode (21b). La couche de matériau bistable organique (30) contient comme constituant principal un matériau bistable organique de transport d'électrons et comme additif un composé donneur d'électrons.
(JA)  スイッチング素子のon状態における電流密度を大きくし、かつ、遷移電圧が高いスイッチング素子を提供する。  電極間に印加される電圧に対して2種類の安定な抵抗値を持つスイッチング素子において、基板10上に第1電極層21a、有機双安定材料層30、第2電極層21bの順に薄膜として形成され、有機双安定材料層30が、電子輸送性の有機双安定材料からなる主成分と、電子供与性化合物からなる添加成分とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)