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1. (WO2005041302) 相補型MISFET及び集積回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/041302    国際出願番号:    PCT/JP2004/015934
国際公開日: 06.05.2005 国際出願日: 27.10.2004
予備審査請求日:    26.08.2005    
IPC:
H01L 27/02 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
出願人: IDEAL STAR INC. [JP/JP]; 6-3, Minami-Yoshinari 6-chome, Aoba-ku, Sendai-shi Miyagi 9893204 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KASAMA, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OMOTE, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUDO, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KASAMA, Yasuhiko; (JP).
OMOTE, Kenji; (JP).
KUDO, Noboru; (JP)
代理人: FUKUMORI, Hisao; 2F, Fuji Building, 5-11, Kudanminami 4-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1020074 (JP)
優先権情報:
2003-369228 29.10.2003 JP
2003-371640 31.10.2003 JP
2003-374789 04.11.2003 JP
2003-408349 05.12.2003 JP
発明の名称: (EN) COMPLEMENTARY MISFET AND INTEGRATED CIRCUIT
(FR) MISFET COMPLEMENTAIRE ET CIRCUIT INTEGRE
(JA) 相補型MISFET及び集積回路
要約: front page image
(EN)Conventionally, integrated circuits such as semiconductor memories, image sensors, and PLAs have been fabricated on rigid, planar substrates such as silicon substrates. Therefore the shape has lacked flexibility and their application has been limited. Since circuit elements have been provided continuously on a flat surface, it has been impossible to manufacture acceptable semiconductor memories unless all the circuit elements with no defect are fabricated, and it has been difficult to improve the production yield. A planar semiconductor memory is fabricated by weaving linear elements into a fabric, or a linear semiconductor memory is fabricated by bundling linear elements. An integrated circuit composed of linear elements is flexible and lightweight, and therefore has various uses. Since an integrated circuit can be produced by selecting only acceptable linear elements fabricated, the production yield of the integrated circuit is improved.
(FR)Conventionnellement, des circuits intégrés tels que des mémoires à semi-conducteurs, des capteurs d'images et des PLA sont fabriqués sur des substrats plans rigides tels que des substrats de silicium. Pour cette raison, leur forme a jusqu'à présent manqué de flexibilité et leur application a été limitée. Etant donné que des éléments de circuit ont toujours été formés sur une surface plate, il était impossible de fabriquer des mémoires à semi-conducteurs acceptables à moins que tous les éléments de circuit ne soient fabriqués sans défaut, et il a par conséquent été difficile d'améliorer le rendement de la production. Selon cette invention, une mémoire à semi-conducteurs plane est fabriquée par tissage d'éléments linéaires en une toile, ou alors une mémoire à semi-conducteurs linéaire est fabriquée par assemblage d'éléments linéaires. L'invention concerne également un circuit intégré composé d'éléments linéaires, flexible et léger, pouvant par conséquent être destiné à diverses utilisations. Etant donné qu'un circuit intégré peut être produit par sélection uniquement d'élément linéaires acceptables fabriqués, le rendement de la production de ce circuit intégré est amélioré.
(JA) 半導体メモリー、イメージセンサー、PLAなどの集積回路は、シリコン基板などリジッドで平面状の基板に形成されていた。そのため、形状に柔軟性がなく、応用が限定されていた。また、複数の回路素子を平面上に連続して形成しているため、すべての回路素子を欠陥なく作製しないと良品の半導体メモリーを製造することができず、歩留まり向上が困難であった。  線状素子を布状に織る、または編むことにより、平面状の半導体メモリーを作製したり、線状素子を束ねて線状の半導体メモリーを作製することにした。線状素子からなる集積回路は、柔軟性があり軽いので多様な用途に用いることができる。一度、線状素子を作製して、良品の線状素子のみ選択して集積回路を作製できるので、集積回路の製造歩留まりが向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)