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1. (WO2005041156) 基板重ね合せ封止方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/041156    国際出願番号:    PCT/JP2003/013536
国際公開日: 06.05.2005 国際出願日: 23.10.2003
予備審査請求日:    23.03.2004    
IPC:
H01J 9/26 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; 9, Kanda Nishikicho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0054 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKEFUSHI, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOGA, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OSHIMA, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INABA, Ryoichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKEFUSHI, Noriyuki; (JP).
KOGA, Yasuyuki; (JP).
OSHIMA, Hideki; (JP).
INABA, Ryoichi; (JP)
代理人: HOSOI, Sadayuki; Hayakawa Bidg., 14-7, Hakusan 5-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 112-0001 (JP).
CHONAN, Mikio; Hayakawa Bidg., 14-7, Hakusan 5-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 112-0001.
ISHIWATARI, Hidefusa; Hayakawa Bidg., 14-7, Hakusan 5-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 112-0001.
NAKAMURA, Masamichi; Hayakawa Bidg., 14-7, Hakusan 5-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 112-0001
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR SEALING SUBSTRATES WHILE STACKING
(FR) PROCEDE DE SCELLEMENT DE SUBSTRATS PENDANT L'EMPILEMENT
(JA) 基板重ね合せ封止方法
要約: front page image
(EN)While interlocking with the operation of an electrostatic attraction means (5b) for releasing an upper substrate (A), gas (G) is jetted from the back side of the upper substrate and injected forcibly between the electrostatic attraction face (5b1) of an upper holding plate (1) and the back surface of the upper substrate. Since adhesion state of the electrostatic attraction face and the substrate surface is broken and they are stripped from each other, electrostatic attraction between them is attenuated forcibly and eliminated. Since a falling force or a falling acceleration acts forcibly on a lower substrate (B) due to the pressure of injected gas, the upper substrate adheres onto the lower substrate instantaneously. The upper substrate is moved, while being held by the electrostatic attraction means (5b), onto the lower substrate without varying the attitude, and bonded and stacked thereon while being sealed. The upper substrate can thereby be dropped forcibly while being aligned regardless of variation in the electrostatic attraction being released.
(FR)Lors de la coordination avec le fonctionnement de moyens d'attraction électrostatique (5b) permettant de libérer un substrat supérieur (A), un gaz (G) est injecté à partir du côté arrière du substrat supérieur et de manière forcée entre la surface d'attraction électrostatique (5b1) d'une plaque support supérieure (1) et la surface arrière du substrat supérieur. Etant donné que l'état d'adhésion de la surface d'attraction électrostatique et la surface du substrat est rompu et qu'elle sont séparées l'une de l'autre, une attraction électrostatique entre elles est atténuée de manière forcée et éliminée. Du fait qu'une force descendante ou qu'une accélération descendante agisse de manière forcée sur un substrat inférieur (B) en raison de la pression du gaz injecté, le substrat supérieur adhère sur le substrat inférieur de manière instantanée. Le substrat supérieur est déplacé, alors qu'il est supporté par les moyens d'attraction électrostatique (5b), sur le substrat inférieur sans variation de l'attitude et il est lié et empilé sur celui-ci pendant le scellement. Le substrat supérieur peut être lâché de manière forcée alors qu'il est aligné, indépendamment de la variation de l'attraction électrostatique libérée.
(JA) 静電吸着手段(5b)による上側基板(A)の保持解除と連動して、該上側基板の背面側から気体(G)を噴出させ、この気体を上方保持板(1)の静電吸着面(5b1)と上側基板の背面との間に強制注入することにより、これら静電吸着面と基板面の密着状態を破壊し両者を剥離することで、両者間の静電吸着力が強制的に減衰されて消滅すると共に、注入した気体の圧力で下側基板(B)への落下力、即ち落下の加速度が強制的に作用され、それにより、該上側基板が瞬時に下側基板の上へ圧着し、静電吸着手段(5b)で保持したまま上側基板が姿勢変化することなく下側基板の上へ移動して圧着され、上下基板を封止して重ね合わされる。従って、静電吸着力の解除ムラに関係なく上側基板を位置合わせされたまま強制的に落下できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)