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1. (WO2005040921) 電子線又はEUV用レジスト組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2005/040921 国際出願番号: PCT/JP2004/015503
国際公開日: 06.05.2005 国際出願日: 20.10.2004
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
渡邊 健夫 WATANABE, Takeo [JP/JP]; JP (UsOnly)
羽田 英夫 HADA, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
木下 博雄 KINOSHITA, Hiroo [JP/JP]; JP (UsOnly)
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
発明者:
渡邊 健夫 WATANABE, Takeo; JP
羽田 英夫 HADA, Hideo; JP
木下 博雄 KINOSHITA, Hiroo; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453, JP
優先権情報:
2003-36222322.10.2003JP
2003-37111130.10.2003JP
2004-10020630.03.2004JP
発明の名称: (EN) RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM OR EUV
(FR) COMPOSITION DE RESINE PHOTOSENSIBLE POUR FAISCEAU ELECTRONIQUE OU LUMIERE ULTRAVIOLETTE EXTREME
(JA) 電子線又はEUV用レジスト組成物
要約:
(EN) Disclosed are a resist composition and a method for forming a resist pattern which enable to prevent contamination in the apparatus during a lithography process using an electron beam or an EUV (extreme ultraviolet light). In this method, an organic solvent mainly containing one or more materials selected from propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl amyl ketone (MAK), butyl acetate (BuOAc), and 3-methyl methoxy propionate (MMP) is used as the resist solvent.
(FR) L'invention concerne une composition de résine photosensible et un procédé permettant de former un motif de résine photosensible capable d'empêcher une contamination dans un appareil pendant un processus de lithographie à l'aide d'un faisceau électronique ou une EUV (lumière électronique extrême). Dans ce procédé, on utilise, comme solvant de résine photosensible, un solvant inorganique contenant essentiellement une ou plusieurs matière(s) sélectionnée(s) dans le groupe formé par propylène glycol monoéthyl éther (PGME), méthyl amine cétone (MAK), butyl acétate (BuOAc) et 3-methyl méthoxy propionate (MMP).
(JA)  電子線またはEUV(極紫外光)によるリソグラフィプロセスにおいて、装置内の汚染を防ぐことができるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法が提供される。この方法は、 プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、メチルアミルケトン(MAK)、酢酸ブチル(BuOAc)、3−メチルメトキシプロピオネート(MMP)から選ばれる1種以上を主成分として含む有機溶剤をレジスト溶媒に用いる。  
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)