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1. WO2005039824 - マルチワイヤソー

公開番号 WO/2005/039824
公開日 06.05.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/015705
国際出願日 22.10.2004
IPC
B24B 27/06 2006.1
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
27その他の研削機械または装置
06切断用研削機
B28D 5/00 2006.1
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
B28D 5/04 2006.1
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
04回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具
CPC
B24B 27/0633
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
27Other grinding machines or devices
06Grinders for cutting-off
0633using a cutting wire
B28D 5/007
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
007Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
B28D 5/045
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
04by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
045by cutting with wires or closed-loop blades
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Y02P 70/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
10Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 河嵜 貴文 KAWASAKI, Takafumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鶴田 明三 TSURUTA, Hirozoh [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 西田 博一 NISHIDA, Hirokazu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 三村 誠一 MIMURA, Seiichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 濱保 昌之 HAMAYASU, Masayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 冨永 尚史 TOMINAGA, Hisashi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 河嵜 貴文 KAWASAKI, Takafumi
  • 鶴田 明三 TSURUTA, Hirozoh
  • 西田 博一 NISHIDA, Hirokazu
  • 三村 誠一 MIMURA, Seiichi
  • 濱保 昌之 HAMAYASU, Masayuki
  • 冨永 尚史 TOMINAGA, Hisashi
代理人
  • 曾我 道照 SOGA, Michiteru
優先権情報
2003-36571927.10.2003JP
2003-36637827.10.2003JP
2003-36947629.10.2003JP
2003-37085930.10.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MULTI-WIRE SAW
(FR) SCIE MULTICABLE
(JA) マルチワイヤソー
要約
(EN) A multi-wire saw for cutting a workpiece while supplying a slurry including alkali or mixed acid to a cutting boundary surface between the workpiece and wires. The multi-wire saw comprises a storage tank with a heating mechanism for storing and heating the slurry, a heat insulating pipe carrying, while maintaining at a specified temperature, the slurry discharged by a pump from the storage tank with the heating mechanism to a position just before the wires are delivered to the workpiece, a thermostatic oven maintaining a temperature near the workpiece fixed to a stage at the specified temperature, and a wire heating mechanism heating the wires to the specified temperature. Thus, since a cutting resistance in cutting a silicon ingot is reduced and its variation is reduced, a high quality wafer can be provided at high efficiency and low cost.
(FR) L'invention concerne une scie multicâble destinée à couper une pièce à travailler pendant qu'une bouillie contenant de l'alcali ou de l'acide mélangé est versée sur une surface limite de coupe entre la pièce à travailler et les câbles de sciage. La scie multicâble comprend un réservoir de stockage équipé d'un mécanisme de chauffage pour stocker et chauffer la bouillie; un tuyau calorifuge pour acheminer, à une température constante déterminée, la bouillie déchargée par une pompe du réservoir de stockage équipé du mécanisme de chauffage vers une position, peu avant que les câbles arrivent au contact de la pièce à travailler. La scie multicâble comprend également un four thermostatique qui maintient une température constante à proximité de la pièce à travailler, laquelle est fixée sur un établi, à ladite température déterminée; et un mécanisme de chauffage des câbles qui chauffe les câbles à ladite température déterminée. Ainsi, puisqu'une résistance de coupe et sa variation sont réduites pendant la coupe d'un lingot de silicium, on peut produire une plaquette de qualité supérieure à haut rendement et bas prix.
(JA)  この発明に係るワイヤソーは、被加工物とワイヤとの切断界面にアルカリまたは混酸を含むスラリを供給しながら前記被加工物を切断するマルチワイヤソーであって、前記スラリを貯蔵加熱するための加熱機構付貯蔵タンクと、前記加熱機構付貯蔵タンクから前記ワイヤが前記被加工物に繰り込まれる手前の位置までポンプにより送出された前記スラリを所定の温度に維持しながら搬送する保温パイプと、ステージに固定された前記被加工物の近傍の温度を前記所定の温度に維持する恒温槽と、前記ワイヤを前記所定の温度に加熱するワイヤ加熱機構とを備えている。その結果、シリコンインゴット切断加工時の切断抵抗が低減されるとともにそのばらつきが小さくなり、高品質のウエハを高効率・低コストで得ることができる。
関連特許文献
US2006249134出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
NO20053153出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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