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1. (WO2005039001) 2ビーム半導体レーザ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/039001    国際出願番号:    PCT/JP2004/015011
国際公開日: 28.04.2005 国際出願日: 12.10.2004
IPC:
H01S 5/022 (2006.01)
出願人: SANYO Electric CO., LTD [JP/JP]; 5-5, Keihanhondori 2-chome, Moriguchi-Shi Osaka 5708677 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Tottori Sanyo Electric CO., LTD [JP/JP]; 101, Tachikawa-cho 7-chome, Tottori-Shi Tottori 6808634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEYAMA, Kouji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKIYOSHI, Shinichirou [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Yasuhiro; (JP).
UEYAMA, Kouji; (JP).
AKIYOSHI, Shinichirou; (JP)
代理人: INOUE, Atsushi; 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan 2-6, Tenmabashi-Kyomachi Chuo-Ku, Osaka-Shi Osaka, 5400032 (JP)
優先権情報:
2003-355478 15.10.2003 JP
発明の名称: (EN) TWO-BEAM SEMICONDUCTOR LASER APPARATUS
(FR) APPAREIL LASER A SEMICONDUCTEUR A DEUX FAISCEAUX
(JA) 2ビーム半導体レーザ装置
要約: front page image
(EN)A two-beam semiconductor laser apparatus (10), comprising a two-beam semiconductor laser element (LDC) having independently drivable first and second semiconductor laser elements (LD1) and (LD2) installed on a substrate (51) integrally with each other and a sub mount (53) having the two-beam semiconductor laser element (LDC) with its outgoing side facing forward installed at the front part and having first and second electrode pads (64) and (65) connected onto the electrodes (61) and (62) of the first and second semiconductor laser elements (LD1) and (LD2). The first and second electrode pads (64) and (65) are formed extendedly to the rear side of the two-beam semiconductor laser element (LDC), and wires (14) and (16) are wire-bonded to each other at the rear of the two-beam semiconductor laser element (LDC).
(FR)L'invention concerne un appareil laser à semiconducteur à deux faisceaux (10), comprenant un élément laser à semiconducteur à deux faisceaux (LDC) possédant des premier et deuxième éléments laser à semiconducteur à commande indépendante (LD1 et LD2) installés sur un substrat (51) et formant une pièce, et une sous-monture (53) sur la partie avant de laquelle la face saillante de l'élément laser à semiconducteur à deux faisceaux (LC) est installée et possédant des première et deuxième plaquettes d'électrodes (64, 65) connectées sur les électrodes (61, 62) des premier et second éléments laser à semiconducteur (LD1, LD2). Les première et seconde plaquettes d'électrodes (64, 65) s'étendent jusqu'à l'arrière de l'élément laser à semiconducteur à deux faisceaux (LDC), et des fils (14, 16) sont connectés les uns aux autres par fils à l'arrière de l'élément laser à semiconducteur (LDC).
(JA) 独立して駆動可能な第1、第2半導体レーザ素子LD1、LD2を基板51上に一体に設けた2ビーム半導体レーザ素子LDCと、  出射側を前方に向けた2ビーム半導体レーザ素子LDCが前部に取り付けられるとともに、第1、第2半導体レーザ素子LD1、LD2の電極61、62にそれぞれ接して接続される第1、第2電極パッド64、65を有したサブマウント53と、  を備えた2ビーム半導体レーザ装置10において、  第1、第2電極パッド64、65は2ビーム半導体レーザ素子LDCの後方に延びて形成され、2ビーム半導体レーザ素子LDCの後方でワイヤー14、16をワイヤーボンディングした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)