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1. WO2005038936 - 発光素子及びその製造方法

公開番号 WO/2005/038936
公開日 28.04.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/015270
国際出願日 15.10.2004
IPC
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
CPC
H01L 21/02392
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02392Phosphides
H01L 21/02395
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02395Arsenides
H01L 21/02461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02461Phosphides
H01L 21/02505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
H01L 21/02543
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02543Phosphides
H01L 21/02579
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02579P-type
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山田 雅人 YAMADA, Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 篠原 政幸 SHINOHARA, Masayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 高橋 雅宣 TAKAHASHI, Masanobu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 安富 敬三 ADOMI, Keizou [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 池田 淳 IKEDA, Jun [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 山田 雅人 YAMADA, Masato
  • 篠原 政幸 SHINOHARA, Masayuki
  • 高橋 雅宣 TAKAHASHI, Masanobu
  • 安富 敬三 ADOMI, Keizou
  • 池田 淳 IKEDA, Jun
代理人
  • 菅原 正倫 SUGAWARA, Masatsune
優先権情報
2003-35695516.10.2003JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF EMETTEUR DE LUMIERE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 発光素子及びその製造方法
要約
(EN)
Disclosed is a light-emitting device (100) which comprises a light-emitting layer portion (24) which is composed of a group III-V compound semiconductor and a transparent thick-film semiconductor layer (90) with a thickness of not less than 40 μm which is formed on at least one major surface side of the light-emitting layer portion (24) and composed of a group III-V compound semiconductor having a band gap energy larger than the photon energy equivalent of the peak wavelength of emission flux from the light-emitting layer portion (24). The transparent thick-film semiconductor layer (90) has a lateral surface portion (90S) which is a chemically etched surface. The dopant concentration of the transparent thick-film semiconductor layer (90) is not less than 5 × 1016/cm3 and not more than 2 × 1018/cm3. By having such a structure, the light-emitting device can have a transparent thick-film semiconductor layer while being significantly improved in light taking-out efficiency from the lateral surface portion.
(FR)
L'invention porte sur un dispositif émetteur de lumière (100) qui comprend une parie (24) de couche émettrice de lumière composée d'un semi-conducteur à composé du groupe III-V et une couche de semi-conducteurs (90) de film épais transparent don't l'épaisseur est égale à 40 $g(m)m qui est formée sur au moins un côté de la surface principale de la partie (24) de la couche émettrice de lumière et composée d'un semi-conducteur à composé du groupe III-V possédant une largeur de bande interdite supérieure à l'énergie des photons équivalente à la pointe-onde du flux d'émission provenant de la partie (24) de la couche émettrice de lumière. La couche (90) de semi-conducteurs de film épais transparent possède une partie (90S) de la surface latérale qui est une surface attaquée chimiquement. La concentration en dopants de la couche (90) de semi-conducteurs de film épais transparent est égale à 5 x 1016 /cm3 et ne dépasse pas 2 x 1018/cm3. Avec une telle structure, le dispositif émetteur de lumière peut avoir une couche de semi-conducteur de film épais transparent et présente un rendement de lumière provenant de la partie de la surface latérale considérablement amélioré .
(JA)
 発光素子100は、III−V族化合物半導体からなる発光層部24と、該発光層部24の少なくとも一方の主表面側に形成され、発光層部24からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII−V族化合物半導体からなる厚さ40μm以上の透明厚膜半導体層90とを有する。透明厚膜半導体層90は、側面部90Sが化学エッチング面とされ、かつ、該透明厚膜半導体層90のドーパント濃度が5×1016/cm以上2×1018/cm以下とされる。これにより、透明厚膜半導体層を有するとともに、その側面部からの光取り出し効率を飛躍的に高めることができる発光素子を提供する。
他の公開
US2007145405
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