WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2005038929) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/038929    国際出願番号:    PCT/JP2004/015128
国際公開日: 28.04.2005 国際出願日: 14.10.2004
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Heiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANABE, Hirohito [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Heiji; (JP).
TERAI, Masayuki; (JP).
WATANABE, Hirohito; (JP)
代理人: FUJIMAKI, Masanori; 5th Floor, Fukoku Seimei Building, 2-2, Uchisaiwaicho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
2003-354552 15.10.2003 JP
2004-148068 18.05.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A foundation layer (103) composed of a silicon oxide is formed on a silicon substrate (101) by an RTO method. In this connection, the foundation layer (103) is formed to have a film thickness of not less than 1.5 nm. A metal compound layer (104) is then formed by depositing a hafnium nitride on the foundation layer (103) in the thickness of 0.5-1.0 nm by a CVD method. Next, the resulting is subjected to a heat treatment in a hydrogen atmosphere, so that hafnium is diffused into the foundation layer (103) from the metal compound layer (104) and converted into a silicate, thereby forming a gate insulating film (106). The resulting is subjected to a heat treatment in an oxidizing atmosphere. These heat treatments are conducted in such a manner that hafnium does not reach the interface between the silicon substrate (101) and the gate insulating film (106).
(FR)L'invention a trait à un procédé, qui consiste : à former, à l'aide d'un procédé RTO, une couche de base (103) constituée d'un oxyde de silicium sur un substrat de silicium (101), ladite couche de base (103) étant formée de manière à présenter une épaisseur d'au moins 1,5 nm ; à former ensuite une couche d'un composé métallique (104), en déposant une épaisseur de 0,5-1,0 nm de nitrure de hafnium sur la couche de base (103), à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur ; à soumettre le produit obtenu à un traitement thermique dans une atmosphère d'hydrogène, de façon que le hafnium se diffuse dans la couche de base (103) à partir de la couche de composé métallique (104) et soit transformé en silicate, ce qui génère un film d'isolation de grille (106) ; à soumettre le produit obtenu à un traitement thermique dans une atmosphère oxydante. Lesdits traitements thermiques sont réalisés de manière que le hafnium n'atteigne pas l'interface entre le substrat de silicium (101) et le film d'isolation de grille (106).
(JA) シリコン基板(101)上に、RTO法によりシリコン酸化物からなる下地層(103)を形成する。このとき、下地層(103)の膜厚を1.5nm以上とする。次に、下地層(103)上に、CVD法によりハフニウム窒化物を0.5乃至1.0nmの厚さに堆積させ、金属化合物層(104)とする。次に、水素雰囲気中において熱処理を施し、金属化合物層(104)から下地層(103)中にハフニウム元素を拡散させてシリケート化させ、ゲート絶縁膜(106)を形成する。その後、酸化雰囲気中において熱処理を行う。このとき、シリコン基板(101)とゲート絶縁膜(106)との界面には、ハフニウム元素が到達しないようにする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)