処理中

しばらくお待ちください...

PATENTSCOPE は、メンテナンスのため次の日時に数時間サービスを休止します。サービス休止: 土曜日 31.10.2020 (7:00 午前 CET)
設定

設定

出願の表示

1. WO2005038886 - 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及び露光装置

公開番号 WO/2005/038886
公開日 28.04.2005
国際出願番号 PCT/JP2004/015284
国際出願日 15.10.2004
IPC
G02B 5/08 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
08反射鏡
G02B 5/26 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
20フィルター
26反射フィルター
G02B 5/28 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
20フィルター
28干渉フィルター
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G21K 1/06 2006.01
G物理学
21核物理;核工学
K他に分類されない粒子線または電離放射線の取扱い技術;照射装置;ガンマ線またはX線顕微鏡
1粒子または電離放射線の取扱い装置,例.集束または減速
06回折,屈折または反射を用いるもの,例.モノクロメーター
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G02B 5/0891
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
08Mirrors
0891Ultraviolet [UV] mirrors
G03F 7/70316
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70316Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors or diffractive optical elements
G03F 7/70958
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
70958Optical materials and coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance
G21K 1/062
GPHYSICS
21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
1Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
06using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
062Devices having a multilayer structure
出願人
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 神高 典明 KANDAKA, Noriaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 村上 勝彦 MURAKAMI, Katsuhiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小宮 毅治 KOMIYA, Takaharu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 白石 雅之 SHIRAISHI, Masayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 神高 典明 KANDAKA, Noriaki
  • 村上 勝彦 MURAKAMI, Katsuhiko
  • 小宮 毅治 KOMIYA, Takaharu
  • 白石 雅之 SHIRAISHI, Masayuki
代理人
  • 古谷 史旺 FURUYA, Fumio
優先権情報
2003-35456115.10.2003JP
2003-35456815.10.2003JP
2003-35498915.10.2003JP
2004-09463329.03.2004JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MULTILAYER FILM REFLECTION MIRROR, PRODUCTION METHOD FOR MULTILAYER FILM REFLECTION MIRROR, AND EXPOSURE SYSTEM
(FR) MIROIR A FILMS MULTICOUCHES, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MIROIR A FILMS MULTICOUCHES, ET SYSTEME D'EXPOSITION
(JA) 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及び露光装置
要約
(EN)
A multilayer film reflection mirror intended to reduce the dependency of reflectance on an incident angle. A substrate (1) is made of a low-thermal-expansion glass polished until its surface (top surface in the FIG.) has a roughness of up to 0.2 nmRMS. An Ru/Si multilayer film (3) having the large half width of peak reflectance is formed on the surface of the substrate (1), and an Mo/Si multilayer film (5) having a high peak reflectance is formed on this Ru/Si multilayer film (3). Accordingly, a reflectance peak having a higher reflectance than the case with of Ru/Si only and a larger half width than the case with of Mo/Si multilayer film (5) only is obtained. Since Ru provides a larger EUV beam absorption than Mo, a higher reflectance than with the case of a structure in which the Ru/Si multilayer film (3) is formed on the Mo/Si multilayer film (5) is obtained. Since a multilayer film having a larger half width at a spectral reflectance has a smaller dependency of reflectance on an angle, the invention can keep a high imaging performance in a projection optical system.
(FR)
L'invention concerne un miroir à films multicouches dont la dépendance de la réflectance par rapport à l'angle d'incidence est réduite. Selon l'invention, un substrat (1) est constitué d'un verre à faible dilatation thermique qui est soumis à un polissage jusqu'à ce que sa surface (surface supérieure montrée par la figure) présente une rugosité pouvant aller jusqu'à 0,2 nmRMS. Un film multicouche Ru/Si (3) présentant une grande demi-largeur de réflectance de pointe est formé sur la surface du substrat (1), et un film multicouche Mo/Si (5) présentant une réflectance de pointe élevée est formé sur ledit film multicouche Ru/Si (3). En conséquence, on obtient une pointe de réflectance supérieure à celle obtenue avec seulement un film de Ru/Si et une demi-largeur plus grande que celle obtenue avec seulement un film de Mo/Si (5). Etant donné que le Ru présente une absorption de l'ultraviolet extrême plus grande que celle du Mo, on obtient une réflectance plus élevée que celle obtenue avec une structure dans laquelle le film multicouche Ru/Si (3) est formé sur le film multicouche Mo/Si (5). Puisqu'un film multicouche présentant une demi-largeur plus grande pour une certain réflectance spectrale offre une réflectance dont la dépendance par rapport à l'angle d'incidence est plus petite, le miroir selon l'invention peut conserver des performances élevées de formation d'image dans un système optique de projection.
(JA)
 多層膜反射鏡において、反射率の入射角依存性を軽減することを目的とする。  基板1は、表面(図中上面)の粗さが0.2nmRMS以下となるまで研磨された低熱膨張ガラス製である。基板1の表面には、ピーク反射率の半値幅の広い、Ru/Si多層膜3が成膜されており、このRu/Si多層膜3上にピーク反射率値の高い、Mo/Si多層膜5が成膜されている。従って、Ru/Siのみの場合よりも反射率が高く、Mo/Si多層膜5のみの場合よりも半値幅が広い反射率ピークが得られる。また、RuはMoよりもEUV光の吸収が大きいので、Mo/Si多層膜5上にRu/Si多層膜3を成膜した構造よりも高い反射率が得られる。分光反射率において半値幅が広い多層膜は、反射率の角度依存性が小さいので、本発明によれば、投影光学系の結像性能を高く保つことができる。                                                                                 
国際事務局に記録されている最新の書誌情報