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1. (WO2005038812) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のデータ書き込み方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/038812    国際出願番号:    PCT/JP2004/013303
国際公開日: 28.04.2005 国際出願日: 13.09.2004
IPC:
G11C 11/15 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONDA, Takeshi; (JP).
SAKIMURA, Noboru; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
優先権情報:
2003-323756 16.09.2003 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR WRITING DATA INTO SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE A SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE D'ECRITURE DE DONNEES DANS UN DISPOSITIF DE STOCKAGE A SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のデータ書き込み方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device including a magnetic storage element and a magnetic field generation unit is used. The magnetic storage element stores data in accordance with the magnetization direction of its spontaneous magnetization. In the operation of data write into the magnetic storage element, the magnetic field generation unit generates a first magnetic field of a first direction in the vicinity of the magnetic storage element and then generates a second magnetic field of a second direction which is different from the first direction so as to orient its spontaneous magnetization to the magnetization direction corresponding to the data to be stored.
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage à semiconducteur comprenant un élément de stockage magnétique et une unité de génération de champ magnétique. L'élément de stockage magnétique stocke les données selon le sens de magnétisation de sa magnétisation spontanée. Pendant l'opération d'écriture de données dans l'élément de stockage magnétique, l'unité de génération de champ magnétique génère un premier champ magnétique d'un premier sens à proximité de l'élément de stockage magnétique; puis génère un second champ magnétique d'un second sens différent du premier sens, de façon à orienter sa magnétisation spontanée dans le sens de magnétisation correspondant aux données à stocker.
(JA) 磁気記憶素子と磁界発生部とを具備する半導体記憶装置を用いる。磁気記憶素子は、自発磁化の磁化方向に対応させてデータを記憶する。磁界発生部は、磁気記憶素子へのデータ書き込み動作において、磁気記憶素子の近傍に、第1方向の第1磁界を発生した後、記憶されるデータに対応する磁化方向にその自発磁化を向かせるようにその第1方向とは異なる第2方向の第2磁界を発生する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)