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1. (WO2005036630) エッチングストッパー層形成用組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/036630    国際出願番号:    PCT/JP2004/013125
国際公開日: 21.04.2005 国際出願日: 09.09.2004
IPC:
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
出願人: AZ ELECTRONIC MATERIAL (JAPAN) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AU, AZ, BA, BB, BF, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GW, HR, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LV, MA, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, RU, SC, SD, SG, SL, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue, Somerville, NJ 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR only).
TASHIRO, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOKI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIKAWA, Tomonori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TASHIRO, Yuji; (JP).
AOKI, Hiroyuki; (JP).
ISHIKAWA, Tomonori; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2003-352219 10.10.2003 JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING ETCHING STOPPER LAYER
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE D'ARRET DE GRAVURE
(JA) エッチングストッパー層形成用組成物
要約: front page image
(EN)Disclosed is a composition for forming an etching stopper layer which has dry etching selectivity ratio and low dielectric constant at the same time. Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device wherein such a composition is used. Specifically, a composition for forming an etching stopper layer including a silicon-containing polymer is characterized in that the silicon-containing polymer included in the composition has a disilylbenzene structure. Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device wherein an etching stopper layer is formed using such a composition.
(FR)Cette invention concerne une composition constituant une couche d'arrêt de gravure présentant simultanément un rapport de sélectivité de gravure à sec et une faible constante diélectrique. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur utilisant une telle composition. Plus spécifiquement, l'invention concerne une composition pour couche d'arrêt de gravure comprenant un polymère à base de silicium caractérisé par sa structure disilybenzène. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un semi-conducteur dans lequel une couche d'arrêt de gravure est formée au moyen d'une telle composition.
(JA) ドライエッチング選択比と低誘電率とを両立したエッチングストッパー層を形成するための組成物、およびそれを用いた半導体装置の製造法の提供を目的とする。この目的は、ケイ素含有ポリマーを含んでなるエッチングストッパー層形成用組成物であって、組成物に含有されるケイ素含有ポリマーがジシリルベンゼン構造を含んでいるエッチングストッパー層形成用組成物、およびそれを用いてエッチングストッパー層を形成させる半導体装置の製造法により解決される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)