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1. (WO2005035824) アモルファス窒化硼素薄膜及びその製造方法、並びに積層膜、透明プラスチックフィルム、及び有機EL素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/035824    国際出願番号:    PCT/JP2004/014676
国際公開日: 21.04.2005 国際出願日: 29.09.2004
IPC:
C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/36 (2006.01)
出願人: KONICA MINOLTA HOLDINGS, INC. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKUBO, Yasushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKUBO, Yasushi; (JP)
優先権情報:
2003-348036 07.10.2003 JP
発明の名称: (EN) AMORPHOUS BORON NITRIDE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME, MULTILAYER FILM, TRANSPARENT PLASTIC FILM, AND ORGANIC EL DEVICE
(FR) FILM MINCE DE NITRURE DE BORE AMORPHE ET PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CE FILM, FILM MULTICOUCHE, FILM DE PLASTIQUE TRANSPARENT, ET DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) アモルファス窒化硼素薄膜及びその製造方法、並びに積層膜、透明プラスチックフィルム、及び有機EL素子
要約: front page image
(EN)A method for producing an amorphous boron nitride thin film is characterized in that a thin film having a composition represented by the general formula (1) below is formed by supplying a reactive gas between opposing electrodes, applying a high-frequency voltage thereto for exciting the reactive gas, and exposing a base to the excited reactive gas at or near atmospheric pressure. General formula (1) BNxCy:H (In the formula, x and y satisfy: 0.7 ≤ x ≤ 1.3, 0 ≤ y ≤ 1.5.)
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire un film mince de nitrure de bore amorphe, caractérisé en ce qu'on forme un film mince présentant la composition représentée par la formule générale (1) ci-dessous en introduisant un gaz réactif entre des électrodes opposées, en appliquant une tension haute fréquence afin d'exciter le gaz réactif entre les électrodes opposées, puis en exposant une base au gaz réactif ainsi excité, à pression atmosphérique ou à une pression proche de cette dernière. Formule générale (1): BnxCy:H (dans laquelle x et y respectent les relations suivantes: 0,7 $m(F) x $m(F) 1,3, 0 $m(F) y $m(F) 1,5).
(JA)大気圧または大気圧近傍の圧力下、対向する電極間に反応性ガスを供給し、高周波電圧をかけることにより、該反応性ガスを励起状態とし、該励起状態の反応性ガスに基材を晒すことによって、下記一般式(1)で表される組成の薄膜を形成することを特徴とするアモルファス窒化硼素薄膜の製造方法。一般式(1)BNxCy:H(式中、x、yは0.7≦x≦1.3、0≦y≦1.5を表す)
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)