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1. (WO2005035823) β−ジケトナト配位子を有する金属錯体および金属含有薄膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/035823    国際出願番号:    PCT/JP2004/015083
国際公開日: 21.04.2005 国際出願日: 13.10.2004
IPC:
C07F 7/18 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01)
出願人: UBE INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1978-96, O-Aza Kogushi Ube-shi, Yamaguchi 755-8633 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KADOTA, Takumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASEGAWA, Chihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANUKI, Kouhei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KADOTA, Takumi; (JP).
HASEGAWA, Chihiro; (JP).
WATANUKI, Kouhei; (JP)
代理人: YANAGAWA, Yasuo; Mitsuya-Yotsuya Building 8th Floor 2-14, Yotsuya Shinjuku-ku, Tokyo 160-0004 (JP)
優先権情報:
2003-353240 14.10.2003 JP
2003-353241 14.10.2003 JP
2003-364079 24.10.2003 JP
2003-366178 27.10.2003 JP
2003-386486 17.11.2003 JP
2003-404438 03.12.2003 JP
2004-026474 03.02.2004 JP
2004-038116 16.02.2004 JP
発明の名称: (EN) METAL COMPLEX HAVING &bgr;-DIKETONATO LIGAND AND METHOD FOR PRODUCING METAL-CONTAINING THIN FILM
(FR) COMPLEXE METALLIQUE COMPORTANT UN LIGAND $G(B)-DICETONATO, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE FINE COUCHE CONTENANT UN METAL
(JA) β−ジケトナト配位子を有する金属錯体および金属含有薄膜の製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] Disclosed is a novel &bgr;-diketonato metal complex which can be advantageously used in a method wherein a metal thin film is produced by CVD. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] Disclosed is a metal complex represented by the following formula: (1) (wherein X represents a silyl ether group having a specific structure; Y represents the above-mentioned silyl ether group or an alkyl group; Z represents a hydrogen atom or an alkyl group; M represents Lu, Ir, Pd, Ni, V, Ti, Zr, Hf, Al, Ga, In, Sn, Pb, Zn, Mn, It, Cr, Mg, Co, Fe or Ag; and n represents the valence of the metal atom M.)
(FR)L'invention concerne un nouveau complexe métallique $g(b)-dicétonato qui peut être utilisé de manière avantageuse dans un procédé au cours duquel une fine couche de métal est produite par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le complexe métallique selon l'invention est représenté par la formule (I), dans laquelle : X désigne un groupe éther silyle présentant une structure spécifique ; Y représente ledit groupe éther silyle ou un groupe alkyle ; Z représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle ; M représente Lu, Ir, Pd, Ni, V, Ti, Zr, Hf, Al, Ga, In, Sn, Pb, Zn, Mn, It, Cr, Mg, Co, Fe ou Ag ; et n représente la valeur de l'atome de métal M.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)