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1. (WO2005034595) 樹脂層へのビアホールの形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/034595    国際出願番号:    PCT/JP2004/015003
国際公開日: 14.04.2005 国際出願日: 05.10.2004
IPC:
H05K 3/00 (2006.01)
出願人: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. [JP/JP]; 80, Oshimadamachi Nagano-shi Nagano, 3812287 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOBAYASHI, Kazutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOBAYASHI, Kazutaka; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
優先権情報:
2003-346722 06.10.2003 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING VIA HOLE IN RESIN LAYER
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN TROU D'INTERCONNEXION DANS UNE COUCHE DE RESINE
(JA) 樹脂層へのビアホールの形成方法
要約: front page image
(EN)A via hole can be formed by positively exposing a base layer to the bottom face of a via hole, in a resin layer containing an inorganic filler. A method of forming a via hole in a resin layer (10) containing an inorganic filler (12) by applying a laser beam, characterized by comprising the first laser beam irradiation step of applying an infrared-region (CO2) laser beam to a via-hole-forming position of the resin layer and scattering resin (11) together with the inorganic filler (12) to form a recessed hole (18) in the resin layer, and the second laser beam irradiation step of applying a ultraviolet-region (UV-YAG) laser beam targeted at the recessed hole-formed position and removing a resin deterioration layer (16) remaining on the bottom surface of the recessed hole to form a via hole (20) to the bottom face of which a base layer (14) is exposed.
(FR)Selon la présente invention, un trou d'interconnexion peut être formé par exposition positive d'une couche de base au niveau de la face inférieure d'un trou d'interconnexion, dans une couche de résine contenant une charge inorganique. Un procédé de formation d'un trou d'interconnexion dans une couche de résine (10) renfermant une charge inorganique (12) par application d'un faisceau laser est caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de rayonnement au faisceau laser qui consiste à appliquer un faisceau laser à région infrarouge (CO2) sur une position de formation de trou d'interconnexion de la couche de résine et à diffuser la résine (11) avec la charge inorganique (12) pour constituer un trou évidé (18) dans la couche de résine, et une seconde étape de rayonnement au faisceau laser qui consiste à appliquer un faisceau laser à région ultraviolette (UV-YAG) ciblé au niveau de la position formée à trou évidé et à éliminer une couche de détérioration de résine (16) qui reste sur la surface inférieure du trou évidé de manière à constituer un trou d'interconnexion (20) sur la face inférieure, où est exposée une couche de base (14).
(JA)無機フィラーを含有する樹脂層においても、ビアホールの底面に下地層を確実に露出させて、ビアホールを形成することを可能にする。無機フィラー(12)を含む樹脂層(10)にレーザ光を照射してビアホールを形成する方法において、前記樹脂層のビアホールを形成する位置に赤外線域の(CO2)レーザ光を照射し、樹脂(11)とともに前記無機フィラー(12)を飛散させて前記樹脂層に凹穴(18)を形成する第1のレーザ光照射工程と、前記凹穴が形成された位置に合わせて、紫外線域の(UV-YAG)レーザ光を照射し、前記凹穴の底面に残留する樹脂の変質層(16)を除去して底面に下地層(14)が露出するビアホール(20)を形成する第2のレーザ光照射工程と、を含むことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)