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1. (WO2005034221) 基板およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/034221    国際出願番号:    PCT/JP2004/014990
国際公開日: 14.04.2005 国際出願日: 05.10.2004
予備審査請求日:    28.04.2005    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Yuichiro; (米国のみ).
MIZUNO, Bunji; (米国のみ).
JIN, Cheng-Guo; (米国のみ)
発明者: SASAKI, Yuichiro; .
MIZUNO, Bunji; .
JIN, Cheng-Guo;
代理人: OGURI, Shohei; Eikoh Patent Office 13th Floor ARK Mori Building 12-32 Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1076013 (JP)
優先権情報:
2003-346910 06.10.2003 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE SUBSTRAT
(JA) 基板およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Impurities are electrically activated without inviting an increase in substrate temperature, the restrictions on substrate selection are lessened, and a substrate having a high-reliability semiconductor thin film is thus produced. Further, the energy efficiency of absorption for annealing is enhanced, and a substrate having a high-quality, high-reliability semiconductor thin film is produced. An impurity thin film and a semiconductor thin film are so formed that the thickness of the films is controlled so as to be most suitable for the subsequent light irradiation step. Consequently, by selecting an optimum wavelength in the subsequent annealing and by adopting an optimum thin film structure depending on the selected light wavelength, most of the light energy is absorbed by the semiconductor thin film and the impurity thin film, so that the annealing can be carried out hardly causing an increase of the temperature of the glass temperature. Therefore, an inexpensive glass of low softening point or plastic can be used for the substrate, and an inexpensive light source industrially easily available can be selected as the light source for annealing.
(FR)Des impuretés sont électriquement activées sans entraîner une augmentation de température du substrat, les contraintes de sélection de substrat sont réduites et, un substrat semi-conducteur en film mince hautement fiable est ainsi produit. Par ailleurs, l'efficacité énergétique d'absorption pour effectuer un recuit est améliorée. Un film mince d'impuretés et un semi-conducteur en film mince sont ainsi produits de façon que l'épaisseur de ces films soit commandée afin qu'ils conviennent au mieux pour l'étape d'irradiation à la lumière suivante. Par conséquent, par la sélection d'une longueur d'onde optimum le processus de recuit suivant et par l'adoption d'une structure de film mince optimum dépendant de la longueur d'onde lumineuse sélectionnée, la plupart de l'énergie lumineuse est absorbée par le semi-conducteur en film mince et par le film mince d'impuretés, de sorte que le recuit peut être effectuée avec une probabilité faible d'augmenter la température du verre. Par conséquent, un verre bon marché avec un point d'adoucissement bas ou du plastique peuvent être utilisés pour ce substrat et, une source lumineuse bon marché facilement disponible dans un contexte industriel peut-être sélectionnée comme source lumineuse pour le recuit.
(JA)本発明の課題は、基板温度の上昇を招くことなく、不純物の電気的な活性化を実現し、基板選択の制約を少なくし、信頼性の高い半導体薄膜を有する基板を提供することにある。 また、アニールのためのエネルギーの吸収効率を高め、高品質で信頼性の高い半導体薄膜を備えた基板を提供することにある。 不純物薄膜や半導体薄膜の膜厚を、続く光照射工程に対して最適になるように制御形成する。これにより、続くアニール時に最適の波長を選択することや、選ばれた光の波長に合わせて最適に薄膜構成をとることによって、光のエネルギーの大半が、半導体薄膜や不純物薄膜に吸収され、ガラス基板の温度を殆ど上昇させること無くアニールを行うことができる.従って、軟化点の低い安価なガラスあるいはプラスチックを基板に使用することができる上、アニールの光源としても工業的に容易に入手可能な安価なものを選択できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)