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1. (WO2005031872) 半導体装置及びその製造方法

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国際公開番号:    WO/2005/031872    国際出願番号:    PCT/JP2004/013965
国際公開日: 07.04.2005 国際出願日: 24.09.2004
H01L 27/14 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01), H01L 31/02 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/365 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOBAYASHI, Hiroya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURAMATSU, Masaharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOBAYASHI, Hiroya; (JP).
MURAMATSU, Masaharu; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; Soei Patent and Law Firm Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
2003-333690 25.09.2003 JP
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device in which high precision focusing for a photodetecting part and uniformity and stability of high sensitivity at the photodetecting part can be maitained by preventing the thinned part of a semiconductor substrate from bending or cracking. The semiconductor device (1) comprises a semiconductor substrate (10), a wiring board (20), conductive bumps (30), and a resin (32). A CCD (12) and a thinned part (14) are formed on the semiconductor substrate (10). An electrode (16) of the semiconductor substrate (10) is connected with an electrode (22) of the wiring board (20) through the conductive bump (30). The gap between a peripheral part (15) surrounding the thinned part (14) and the wiring board (20) is filled with the insulating resin (32) in order to reinforce the bonding strength of the conductive bump (30). The resin (32) is a resin sheet which is previously so shaped as to circumferentially surround the gap between the thinned part (14) and the wiring board (20) while leaving a part of the circumference of the gap unsurrounded.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur dans lequel on maintient une focalisation de précision pour une partie de prise de vue, une uniformité et une stabilité de grande sensibilité au niveau de la partie de prise de vue, en empêchant la partie amincie d'un substrat à semiconducteur de se fissurer ou de se déformer. Ce dispositif à semi-conducteur (1) comprend un substrat à semiconducteur (10), un tableau de connexions (20), des bosses conductrices (30) et une résine (32). Un CCD (12) et une partie amincie (14) sont formés sur le substrat à semiconducteur (10). Une électrode (16) du substrat à semiconducteur (10) est connectée à une électrode (22) du tableau de connexions (20) par l'intermédiaire des bosses conductrices (30). L'espace entre une partie périphérique (15) entourant la partie amincie (14) et le tableau de connexions (20) est rempli de résine isolante (32) pour que la cohésion de la bosse conductrice (30) soit renforcée. La résine (32) est une feuille de résine préalablement façonnée de manière qu'elle entoure une partie de la circonférence de l'espace entre la partie amincie (14) et le tableau de connexions (20).
(JA) この半導体装置では、半導体基板の薄型化部分の撓み及び割れを防止し、光検出部に対する高精度なフォーカシング及び光検出部における高い感度の均一性及び安定性を維持することができる。半導体装置1は、半導体基板10、配線基板20、導電性バンプ30、及び樹脂32を備える。半導体基板10にはCCD12と薄型化部分14とが形成されている。半導体基板10の電極16は、導電性バンプ30を介して配線基板20の電極22と接続されている。薄型化部分14の外縁部15と配線基板20との間の空隙には、導電性バンプ30の接合強度を補強するため、絶縁性の樹脂32が充填されている。この樹脂32は、薄型化部分14と配線基板20との間の空隙の周囲をその周囲の一部を残して囲むように予め成形された樹脂シートである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)