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1. (WO2005031839) プラズマ処理システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/031839    国際出願番号:    PCT/JP2004/014407
国際公開日: 07.04.2005 国際出願日: 30.09.2004
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/42 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Advanced Energy Industries, Inc. [US/US]; 1625, Sharp Point Drive, Fort Collins, Colorado 80525 (US) (米国を除く全ての指定国).
MIYOSHI, Hideaki [JP/JP]; (米国のみ).
DHARMASENA, Gemunu, Ranjith [LK/JP]; (米国のみ).
HIGASHIURA, Tsutomu [JP/JP]; (米国のみ).
GILMORE, Jack, A. [US/US]; (米国のみ).
OSSELBURN, Joseph, J. [US/US]; (米国のみ).
BEIZER, Theresa [US/US]; (米国のみ)
発明者: MIYOSHI, Hideaki; .
DHARMASENA, Gemunu, Ranjith; .
HIGASHIURA, Tsutomu; .
GILMORE, Jack, A.; .
OSSELBURN, Joseph, J.; .
BEIZER, Theresa;
代理人: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
10/673,514 30.09.2003 US
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING SYSTEM
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理システム
要約: front page image
(EN)A processing system (100) includes a processing chamber (120) having a substrate holder (130) and an electrode (125). The processing system includes a compression control system, a gas supplying system, and a monitor device (160). The electrode (125) is connected to a multi-frequency RF power supply (110) via a matching circuit (115) having a single variable element. The multi-frequency RF power supply is set to a first frequency so as to ignite plasma or set to a second frequency so as to sustain the plasma.
(FR)L'invention concerne un système de traitement (100) qui comprend une chambre de traitement (120) comportant un porte-substrat (130) et une électrode (125). Ce système de traitement comprend un système de régulation de compression, un système d'alimentation en gaz et un dispositif de type moniteur (160). L'électrode est reliée à une alimentation RF multi-fréquence (110) par l'intermédiaire d'un circuit de correspondance (115) possédant un élément variable unique. L'alimentation RF multi-fréquence est réglée à une première fréquence afin de procéder à l'allumage du plasma ou à une deuxième fréquence afin de maintenir la production de plasma.
(JA) 処理システム(100)は、基板ホルダ(130)と電極(125)とを有する処理チャンバ(120)を含む。処理システムは、圧力制御システムとガス供給系とモニタ装置(160)とを含む。電極(125)には、単一可変素子を有する整合回路(115)を介して、マルチ周波数RF電源(110)が接続される。マルチ周波数RF電源は、プラズマを点火するように第1の周波数に設定され、プラズマを維持するように第2の周波数に設定される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)